"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Высокотемпературный диод на основе эпитаксиальных слоев GaP
Соболев М.М.1, Никитин В.Г.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 22 октября 1997 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1998 г.

Сообщается о получении чистого, нелегированного, высокотемпературного GaP, выращенного методом жидкофазной эпитаксии. Приведены результаты исследований p-n-структур GaP, выращенных при различных температурах начала кристаллизации, с помощью вольт-фарадного метода (C-V) и нестационарной спектроскопии глубоких уровней (DLTS). Полученные характеристики GaP определяются низким уровнем концентрации фоновой примеси и дефектов с глубокими уровнями. Измерения температурной зависимости прямой ветви вольт-амперной характеристики показали, что термометрическая характеристика диода линейна в диапазоне температур от -191 до ~ +600oC.
  • Zipperian Th.E., Chaffin R.J., Dawson L.R. // IEEE Trans. on Ind. ELectron. 1982. IE-29. P. 129
  • Weichold W.H. // Solid State Electron. 1985. V. 28. P. 957
  • Brunwin R.F., Dean P.J., Hamilton B., Holdgkinson J., Peaker A.R. // Solid State Electron. 1981. V. 24. P. 249--256
  • Andreev В.М., Долгинов Л.М., Третьяков Д.Н. Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов. М.: Сов. радио, 1975
  • Monney P.M., Kennedy T.A., Small M.В. // Physica. 1983. 116B. P. 431
  • Van Vechten J.A. // Handbook on Semiconductors. Materials Properties, and Preparation. V. 3. T.S. Moss and S.p. Keller, Editors. North--Holland, Amsterdam, 1980. P. 1--11
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.