Описано исследование образования силицида никеля при формировании омических контактов кремниевых приборов и связь процесса с длительностью термической обработки.
Тонкие пленки. Взаимная диффузия и реакции / Под ред. Дж. Поута, К. Ту, Дж. Мейера. М.: Мир, 1982. 570 с
Мьюрарка Ш. Силициды для СБИС. М.: Мир, 1986. 176 с
Рейви К. Дефекты и примеси в полупроводниковом кремнии. М.: Мир, 1984. 472 с
Воробьев Ю.В., Добровольский В.П., Стриха В.И. Методы исследования полупроводников. Киев: Выща школа, 1988. 232 с
Компенсированный кремний / Под ред. Б.И. Болтакса. Л.: Наука, 1972. 124 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.