Показана возможность получения слоев GaN методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота высокочастотным магнетронным разрядом в оригинальном коаксиальном источнике с емкостной связью. На подложках GaAs и сапфира получена скорость роста ~0.1 mum/h, и определены пути оптимизации конструкции плазменного источника для увеличения скорости роста. Исследованы электрофизические и люминесцентные свойства нелегированных эпитаксиальных слоев вплоть до комнатной температуры.
Nikishin S.A., Antipov V.G., Ruvimov S.S., Seryogin G.A., Temkin H. // Appl. Phys. Lett. 1996. V. 69. N 21. P. 3227--3229
Ferguson B.A., Mullins C.B. // J. Crystal Growth. 1997. V. 178. P. 134--146
Grun M., Sadeghi N., Cibert J., Genuist Y., Tserepi A. // J. Crystal Growth. 1996. V. 159. P. 284--288
Meyapan M. // MRS Internet Journal (MIJ)--NSR. 1997. V. 2. Art. 46
Hughes W.C., Rowland W.H., Johnson M.A.L., Fujita S., Cook J.W., Schetzina J.F., Ren J., Edmond J.A. // J. Vac. Sci. Technol. B. 1995. V. 13. N 4. P. 1571--1577
Ivanov S.V., Jmerik V.N., Kuznetsov V.M., Sorokin S.V., Maximov M.V., Krestnikov I.L. Kop'ev P.S. // Proceeding of International Symposium on Blue Lasers and Light Emitting Diodes. Chiba, Japah, March 5--7. 1996. P. 301--304
Жмерик В.Н., Иванов С.В., Максимов М.В., Кузнецов В.М., Леденцов Н.Н., Сорокин С.В., Домрачев С.Б., Шмидт Н.М., Крестников И.Л., Копьев П.С. // ФТП. 1996. V. 30. N 6. P. 1071--1084
Novikov S.V., Kipshidze G.D., Lebedev V.B., Sharonova L.V., Shik A.Ya., Jmerik V.N., Kuznetsov V.M., Gurevich A.V., Zinov'ev N.N., Foxon C.T., Cheng T.S. // Abstracts of 23rd International Symposium on Compound Semiconductors. St.Petersburg, Russia, Sept. 23--27. 1996. P. 101
Saeki Y., Akitsu T., Kato T., Matsumoto T. // Proceeding of International Symposium on Blue Laser and Light Emitting Diodes. Chiba, Japan, March 5--7, 1996. P. 390--393
Strauss U., Tews H., Riechert H. et al. // MIJ-NSR. 1996. V. 1. Art. 44
Cheng T.S., Foxon C.T., Jeffs N.J., Hughes O.H. et al. // MIJ-NSR. 1996. V. 1. Art. 32