Вышедшие номера
Излучающие на длине волны 1.54 mum пленки a-Si : H, легированные эрбием из металлорганического соединения Er(HFA)3*DME
Воронков В.Б.1, Голубев В.Г.1, Горшков Н.И.1, Медведев А.В.1, Певцов А.Б.1, Суглобов Д.Н.1, Феоктистов Н.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург НПО "Радиевый институт им. В.Г. Хлопина", С.-Петербург
Поступила в редакцию: 22 декабря 1997 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1998 г.

Впервые в рамках стандартной низкотемпературной (<300oC) технологии РE CVD получены пленки a-Si(Er) : H, излучающие в области 1.54 mum при комнатной температуре. В качестве источника Er впервые использовано фторсодержащее металлорганическое соединение Er(HFA)3*DME, обладающее повышенной летучестью и достаточной термостабильностью. Наличие фотопроводимости в синтезированных образцах свидетельствует об их удовлетворительном электронном качестве и перспективности использования для создания светоизлучающих диодов на длину волны 1.54 mum.