"Физика твердого тела"

Издателям

Статистика

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2018
- 1 2 3 4 5
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние упругих напряжений на термоэлектрические свойства эпитаксиальных слоев Pb_1-xGe_xTe

Водопьянов В.Н.¹, Бахтинов А.П.¹, Слынько Е.И.¹, Радченко М.В.¹, Сичковский B.И.¹, Лашкарев Г.В.¹, Dobrowolski W.², Yakiela R.²

¹Институт проблем материаловедения Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
²Institute of Physics, Polish Academy of Science, Warsaw, Poland

Email: radch@isp.kiev.ua

Поступила в редакцию: 3 июня 2005 г.

Выставление онлайн: 19 июня 2006 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Измерена температурная зависимость термоэдс эпитаксиальных пленок Pb_1-xGe_xTe (x=0.01-0.05) на подложках BaF₂(111). Установлено несовпадение температуры фазового перехода ферроэлектрического типа с полученной для объемных монокристаллов такого же состава. Это несоответствие объяснено влиянием упругих напряжений кристаллической решетки Pb_1-xGe_xTe, которые возникают при охлаждении слоев от температуры выращивания до температуры измерений вследствие различия коэффициентов термического расширения пленки и подложки. PACS: 73.50.Lw, 73.61.Le

A. Rogalski, R. Ciupa. Optoelectron. Rev. 4, 21 (1997)

S. Katayama, K. Murase. Solid State Commun. 36, 875 (1980)

E. Bangert, G. Bauer, E.J. Fantner, H. Pascher. Phys. Rev. B 31, 12, 7958 (1985)

W. Jantsch, G. Bauer, A. Krost, A. Lopez-Otero. Ferroelectrics 38, 906 (1981)

W. Jantsch, H. Mitter, A. Lopez-Otero. Z. Phys. B 41, 287 (1981)

W. Jantsch, G. Bauer, A. Lopez-Otero. Proc. 14th Int. Conf. Physics of Semicond. Edinburgh (1978). P. 445

A.V. Lewis, R.J. Nicholas, J.C. Ramage, G. Bauer, R.A. Stradling, A. Lopez-Otero. J. Phys. C 13, 4, 561 (1980)

H. Clemens, P. Ofner, H. Krenn, G. Bauer. J. Cryst. Growth 84, 571 (1987)

D.L. Partin. J. Vac. Sci. Technol. 21, 1, 1 (1982)

G.V. Lashkarev, M.V. Radchenko. Int. Workshop on Semimagnetic Semiconductors. Abstracts. Linz, Austria (1994). P. 207

Г.В. Лашкарев, А.В. Бродовой, С.Д. Летюченко, М.В. Радченко, Е.И. Слынько, В.П. Федорченко. ФТП 21, 10, 1921 (1987)

G.V. Lashkarev, M.V. Radchenko. Quant. Electron. Optoelectron. 3, 3, 295 (2000)

G. Bauer, H. Clemens. Semicond. Sci. Technol. 5, 12, 125 (1990)

Г.В. Лашкарев, М.В. Радченко, П.М. Старик, Е.И. Слынько, В.В. Орлецкий, ФТП 14, 3, 490 (1980)

S. Takaoka, K. Murase. Phys. Rev. B 20, 7, 2823 (1979)

E.J. Fantner, G. Bauer, W. Rahs, B. Ortner, H. Pascher, A. Lopez-Otero. Thin Solid Films 89, 149 (1982)

H. Zogg, S. Blunier, A. Fach, C. Maissen, P. Muller, S. Teodoropol, V. Meyer, G. Kostorz, A. Dommann, T. Richmond. Phys. Rev. B 50, 15, 10 801 (1994)

S. Sugai, K. Murase, T. Tsuchihira, H. Kawamura. J. Phys. Soc. Jap. 79, 2, 539 (1979)

K. Murase. S. Nishi. Phys. Narrow Cap Semicond. 152, 261 (1982)

V. Holy, G. Springholz, M. Pinczolits, G. Bauer. Phys. Rev. Lett. 83, 2, 356 (1999)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель