"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Изучение с помощью атомно-силового микроскопа in-situ химического травления структур SiO2--Si
Бухараев А.А.1, Бухараева А.А.1, Нургазизов Н.И.1, Овчинников Д.В.1
1Казанский физико-технический институт им. Е.К. Завойского КНЦ РАН
Поступила в редакцию: 7 мая 1998 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1998 г.

Представлены первые результаты по визуализации с помощью атомно-силового микроскопа in-situ процесса химического травления в водном растворе HF структур SiO2--Si, имплантированных ионами P+. Получены значения скоростей травления SiO2, исследована кинетика фотостимулированного химического травления Si.
  • Drake B., Prater C.B., Weisenhorn A.L. et al. // Science. 1988. V. 243. P. 1586--1589
  • Бухараев А.А., Овчинников Д.В., Бухараева А.А. // Заводская лаборатория. 1997. N 5. С. 10--27
  • Валиев К.А., Махвиладзе Т.М., Раков А.В. // Микроэлектроника. 1986. Т. 15. N 5. С. 392--397
  • Валиев К.А., Данилов В.А., Дракин К.А. и др. // Микроэлектроника. 1982. Т. 11. N 4. С. 323--328
  • Риссел Х., Руге И. Ионная имплантация. М.: Наука, 1983. 360 с
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.