Издателям
Вышедшие номера
Структурное совершенство эпитаксиальных слоев GaN по данным рентгеновской дифракции
Кютт Р.Н.1, Ратников В.В.1, Мосина Г.Н.1, Щеглов М.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 5 июня 1998 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1998 г.

Методами двух- и трехкристальной дифрактометрии исследовано структурное совершенство эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложках сапфира, GaAs и SiC. Показано, что дифракционные распределения вокруг узлов обратной решетки вытянуты в направлении, параллельном поверхности, что связано с анизотропией локальных полей деформации в слоях. Проведен детальный анализ уширений для нескольких порядков отражений, измеренных в трех геометриях: симметричной брэгговской, симметричной Лауэ и скользящей дифракции. Получены значения пяти независимых компонент тензора микродисторсии delta eij, а также средних размеров областей когерентного рассеяния в двух направлениях tauz и taux. Показано, что для большинства образцов компоненты, вызывающие уширение рефлексов в направлении вдоль поверхности, заметно больше, т. е. delta exx>delta ezz и delta ezx>delta exz, а также tauz>taux. Все компоненты тензора связываются с тем или иным типом дислокаций. Электронная микроскопия исследованных образцов выявила присутствие большой плотности чисто краевых и чисто винтовых дислокаций, прорастающих нормально к гетерогранице, которые и дают соответственно основной вклад в exx и ezx.
  • M. Leszczynski, T. Suski, P. Perlin, H. Teisseyre, I. Grzegory, M. Bockowski, J. Jun, S. Porowski, J. Major. J. Phys. D: Appl. Phys. 28A, A149 (1995)
  • C. Kim, I.K. Robinson, J. Myoung, K. Shim, M.-C. Yoo, K. Kim. Appl. Phys. Lett. 69, 2358 (1996)
  • T.D. Moustakas, T. Lei, R.J. Molnar. Physica B185, 36 (1993)
  • D. Kapolnek, X.H. Wu, B. Hejing, S. Keller, U.K. Mishra, S.P. Den-Baars, J.S. Speck. Appl. Phys. Lett. 67, 1541 (1995)
  • T. Lei, T.D. Moustakas, K.F. Ludwig Jr. J. Appl. Phys. 74, 4400 (1993)
  • B. Heying, X.H. Wu, S. Keller, Y. Li, D. Kapolnek, B.P. Keller, S.P. Den Baars, J.S. Speek. Appl. Phys. Lett. 68, 643 (1996)
  • W. Li, P. Bergman, I. Ivanov, Wei-Xin Ni, H. Amano, I. Akasa. Appl. Phys. Lett. 69, 3390 (1996)
  • R. Stoommer, T. Metzger, M. Schuster, H. Gobel. Nuovo Cimento 19D, 465 (1997)
  • Р.Н. Кютт, Л.М. Сорокин, Т.С. Аргунова, С.С. Рувимов. ФТТ 36, 9, 2700 (1994)
  • R.N. Kyutt, T.S. Argunova. Nuovo Cimento 19D, 267 (1997)
  • R.N. Kyutt, T.S. Argunova, S.S. Ruvimov. J. Appl. Cryst. 28, 700 (1995)
  • W.C. Marra, P. Eisenberger, A.Y. Cho. J. Appl. Phys. 50, 6927 (1979)
  • E. Koppensteiner, A. Schuh, G. Bauer, V. Holy, G.P. Watson, E.A. Fitzgerld. J. Phys. D: Appl. Phys. 28A, A114 (1995)
  • V.M. Kaganer, R. Kohler, M. Schmidtbauer, R. Opitz, B. Jenichen. Phys. Rev. B55, 1793 (1997)
  • М.А. Кривоглаз. Теория рассеяния рентгеновских лучей и тепловых нейтронов реальными кристаллами. Наука, М. (1967)
  • M. Wilkens. Krist. Techn. 11, 1159 (1976)
  • К.П. Рябошапка. Завод. лаб. 5, 26 (1981)
  • W. Qian, M. Skowronski, M. DeGraef, R. Doverspike, D.K. Gaskill. Appl. Phys. Lett. 66, 1252 (1995)
  • A. Sakai, H. Sunakawa, A. Usui. Appl. Phys. Lett. 71, 2259 (1997)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.