Издателям
Вышедшие номера
Особенности примесного электросопротивления в ферромагнетиках с малой концентрацией носителей
Гавричков В.А.1, Овчинников С.Г.1
1Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
Email: gav@iph.krasnoyarsk.su
Поступила в редакцию: 10 апреля 1998 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1998 г.

При переходе от простых полупроводников к более сложным химическим составам мы сталкиваемся в основном с нестехиометричными или специально-нелегированными соединениями. В сочетании с другими особенностями d(f)-соединений это может приводить наряду с обычным для магнитных полупроводников рассеянием на спиновом беспорядке, к необычному примесному вкладу в общее рассеяние носителей даже в беспримесных полупроводниках. На основе модельного гамильтониана предложена единая схема расчета энергетической структуры дна зоны проводимости ферромагнитного полупроводника, температурных и полевых зависимостей примесного вклада в электросопротивление. Вычисленное магниторезистивное отношение отрицательно и имеет максимум в районе Tc. Проведено качественное сравнение результатов с экспериментальными зависимостями холловской подвижности и магниторезистивного отношения от температуры в тройном полупроводнике n-HgCr2Se4, не обладающего стехиометрией по халькогену. Для выделения не наблюдавшихся ранее температурных осцилляций электросопротивления проделана тщательная обработка низкотемпературной части электросопротивления с помощью полученных формул.
  • Н.Н. Сирота. Физико-химическая природа фаз с переменным составом. Наука и техника, Минск (1970). 231 с
  • S. Metfessel, D.C. Mattis. Magnetic Semiconductors, Handbuch der Physic. Springer-Verlag, Berlin--Heidelberg--N. Y. (1968). 562 p
  • Э.Л. Нагаев. Физика магнитных полупроводников. Наука, М. (1979). С. 127
  • R. von Helmholt, J. Wecker, B. Holzapfel, L. Shultz, K. Samwer 3. Phys. Rev. Lett. 71, 2331 (1993); S. Jin, T.H. Tiefel, M.Mc. Cormack, R.A. Fasthnacht, R. Ramesh, L.H. Chen. Science 264, 413 (1994)
  • В.А. Гавричков, С.Г. Овчинников, М.Ш. Ерухимов, И.С. Эдельман. ЖЭТФ 90, 1275 (1986); В.А. Гавричков, С.Г. Овчинников, М.Ш. Ерухимов. ФТТ 29, 527 (1987)
  • M. Lanoo, J. Bourgoin. Point defect in semiconductors I, theoretical aspects. Springer Series in Solid-States Science 22. Springer-Verlag, Berlin--Heidelberg--N. Y. (1981). 264 p
  • А.А. Абрикосов, Л.П. Горьков, И.Е. Дзялошинский. Методы квантовой теории поля в статистической физике. Гостехиздат, М. (1962). 350 с
  • S.G. Ovchinnikov. Phase Trans. 36, 15 (1991)
  • A. Selmi. Galvanomagnetic properties of the semiconductors HgCr-=SUB=-2-=/SUB=-Se-=SUB=-4-=/SUB=-. Diplome de doctoeur (in French). University of P.-M. Curie (1979). P. 61--71; A. Selmi et al. J. Appl. Phys. 57, 1, 3216 (1985); A. Selmi et al. J. Magn. Magn. Mater. 66, 3, 295 (1987)
  • N. Koguchi, K. Masumoto, J. Phys. Chem. Sol. 41, 1279 (1980)
  • Б.А. Гижевский, А.А. Самохвалов и др. ФТТ 26, 9, 2647 (1984)
  • В.К. Чернов, В.А. Гавричков, Н.Б. Иванова, Г.С. Вейст, Ю.В. Бояршинов. ФТТ 28, 1, 289 (1986)
  • N.F. Mott. Proc. Phys. Soc. 47, 571 (1935); Proc. Roy. Soc. A 153, 368 (1936); N.F. Mott, K.W.H. Stevens. Phil. Mag. 2, 1364 (1957); B.R. Coles. Adv. Phys. 7, 40 (1958)
  • J. Frank, F. Blatt. Physics of electronic conduction in solids. Mc Graw--Hill Book Copmpany (1968). 470 p
  • T. Arai, M. Wakaki et al. J. Phys. Soc. Jap. 34, 1, 68 (1973)
  • А.Д. Балаев, В.В. Вальков, В.А. Гавричков, Н.Б. Иванова, С.Г. Овчинников, В.К. Чернов. УФН 167, 1016 (1997); А.Д. Балаев, В.А. Гавричков, С.Г. Овчинников, В.К. Чернов, Т.Г. Аминов, Г.Г. Шабунина. ЖЭТФ 113, 5, в печати (1998)
  • В.В. Вальков, Д. Дзебисашвили. ЖЭТФ 111, 654 (1997)
  • С.Г. Овчинников, В.К. Чернов, А.Д. Балаев, Н.Б. Иванова, В.А. Левшин, Б.П. Хрусталев. Письма в ЖЭТФ 62, 620 (1995)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.