В короткопериодных сверхрешетках AlAs/GaAs при различных энергиях фотонов измерены зависимости фототока от внешнего электрического поля. В этих зависимостях наряду с оптическими резонансами, обусловленными межзонными переходами на уровни Ванье--Штарка, обнаружены транспортные резонансы, положения которых не зависит от энергии фотонов. Показано, что транспортные резонансы обусловлены туннелированием фотоэлектронов из контактной области p-GaAs на первый уровень в GaAs ямах, отстоящих от контактного слоя на 2--5 периодов сверхрешетки.
G.H. Wannier. Phys. Rev. 117, 432 (1960)
E.E. Mendez, F. Agullo-Rueda, J.M. Hong. Phys. Rev. Lett. 60, 2426 (1988)
P. Voisin, J. Bleuse, C. Bouche, S. Gaillard, C. Alibert, A. Regreny. Phys. Rev. Lett. 61, 1639 (1988)
K. Fujiwara, H. Schneider, R. Chingolani, K. Ploog. Solid State Commun. 72, 935 (1989)
H. Schneider, H.T. Grahn, K. von Klitzing, K. Ploog. Phys. Rev. Lett. 65, 2720 (1990)
R.P. Leavitt, J.W. Little. Phys. Rev. B41, 5174 (1990)
V.L. Alperovich, V.A. Haisler, A.S. Jaroshevich, N.T. Moshegov, A.S. Terekhov, A.I. Toropov, V.A. Tkachenko. Surf. Sci. 267, 541 (1992)
H. Nagasawa, K. Murayama, M. Yamaguchi, M. Morifuji, C. Hamaguchi, A. Di Carlo, P. Vogl, G. Bohm, G. Trankle, G. Weimann. Sol. Stat. Electron. 40, 245 (1996)
N.T. Moshegov, L.V. Sokolov, A.I. Toropov, A.K. Bakarov, A.K. Kalagin, V.V. Tichomirov. Inst. Phys. Conf. Ser. N 145. Ch. 2, 97 (1996).
В.Л. Альперович, Н.Т. Мошегов, В.В. Попов, А.С. Терехов, В.А. Ткаченко, А.И. Торопов, А.С. Ярошевич. ФТТ 39, 11, 2085 (1997)
F. Agullo-Rueda, J.A. Brum, E.E. Mendez, J.M. Hong. Phys. Rev. B41, 1676 (1990)
© 2017 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук