Издателям
Вышедшие номера
Эпитаксиальная комбинация NdBa2Cu3O7-delta/SrTiO3: особенности роста, структура и параметры
Бойков Ю.А.1, Данилов В.А.1, Клаесон Т.2, Эртс Д.3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Чалмерский технический университет, Гетеборг, Швеция
3Институт химической физики, Университет Латвии, Рига, Латвия
Поступила в редакцию: 6 июля 1998 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1999 г.

Исследованы особенности роста, структура и параметры эпитаксиальных гетероструктур (001)NdBa2Cu3O7-delta/(100)SrTiO3/(001)NdBa2Cu3O7-delta, выращенных методом лазерного испарения на подложке (100)LaAlO3 с тонкой (~ 2 nm) прослойкой YBa2Cu3O7-delta. Использование прослойки YBa2Cu3O7-delta способствует послойному росту пленки (200 nm)NdBa2Cu3O7-delta, шероховатость свободной поверхности которой составляет 4-5 nm. Резкое падение сопротивления пленок NdBa2Cu3O7-delta начиналось при T=92 K, а при T~ 87 K оно обращалось в нуль. Плотность критического тока в пленках NdBa2Cu3O7-delta при T=76 K превышала 106 A/cm2. Диэлектрическая проницаемость слоя (400 nm)SrTiO3, введенного между эпитаксиальными пленками NdBa2Cu3O7-delta, возрастала примерно в 3 раза при понижении температуры в интервале 300-4.2 K. При подаче на электроды NdBa2Cu3O7-delta напряжения смещения ±2.5 V относительная диэлектрическая проницаемость промежуточного слоя (400 nm)SrTiO3 понижалась от 1150 до 400 (T=32 K, f=100 kHz). Проводимость промежуточного слоя SrTiO3 в направлении, перпендикулярном плоскости подложки, возрастала с температурой и напряженностью электрического поля.
  • I.S. Gergis, J.T. Cheung, T.H. Trinh, E.A. Sovero, P.H. Kobrin. Appl. Phys. Lett. 60, 2026 (1992)
  • J.P. Hong, J.S. Lee. Appl. Phys. Lett. 68, 3034 (1996)
  • F.W. Nan Keuls, R.R. Romanofsky, D.Y. Bohman, M.D. Winters, F.A. Miranda, C.H. Mueller, R.E. Treece, T.V. Rivkin, D. Galt. Appl. Phys. Lett. 71, 3075 (1997)
  • C.M. Jackson, J.H. Kobayashi, A. Lee, C. Pettiette-Hall, J.F. Burch, R. Hu. Microwave Opt. Technol. Lett. 5, 722 (1992)
  • O.G. Vendik, L.T. Ter-Martirosyan, A.I. Deduk, S.F. Karmanenko, R.A. Chakalov. Ferroelectrics 144, 33 (1993)
  • Yu.A. Boikov, Z.G. Ivanov, A.N. Kiselev, E. Olsson, T. Claeson. J. Appl. Phys. 78, 4591 (1995)
  • Yu.A. Boikov, Z.G. Ivanov, A.L. Vasiliev, I. Pronin, E. Olsson, T. Claeson. Appl. Phys. Lett. 67, 2708 (1995)
  • J.G. Lin, C.Y. Huang, Y.Y. Xue, C.W. Chu, X.W. Cao, J.C. Ho. Phys. Rev. B51, 12 900 (1995)
  • M. Badaye, J.G. Wen, K. Fukushima, N. Koshizuka, T. Morishita, T. Nishimura, Y. Kido. Supercond. Sci. Technol. 10, 825 (1997)
  • L.A. Tietz, C.B. Carter, D.K. Lathrop, S.E. Russek, R.A. Buhrman, J.R. Michael. J. Mater. Res. 4, 1072 (1989)
  • F.W. Lytle. J. Appl. Phys. 35, 2212 (1964)
  • Yu.A. Boikov, V.A. Danilov, E. Carlsson, D. Erts, T. Claeson. Physica B, in press
  • T. Shimizu, H. Nonaka, K. Arai. Appl. Phys. Lett. 59, 600 (1991)
  • Handbook of Chemistry and Physics / Ed. R.C. Weast. 59th edition. CRC Press Inc. (1978--1979). P. E-81. Florida (1979)
  • Ю.А. Бойков, З.Г. Иванов, Е. Олсон, В.А. Данилов, Т. Клаесон, М. Щеглов, Д. Эртс. ФТТ 37, 3, 880 (1995)
  • A.L. Vasiliev, G. Van Tendeloo, A. Amelincks, Yu.A. Boikov, E. Olsson, Z. Ivanov. Physica C244, 373 (1991)
  • M. Badaye, F. Wang, Y. Kanke, K. Fukushima, T. Morishita. Appl. Phys. Lett. 66, 2131 (1995)
  • Yu.A. Boikov, T. Claeson. J. Appl. Phys. 81, 3232 (1997)
  • J.M. Worlock, P.A. Fleury. Phys. Rev. Lett. 19, 1176 (1967)
  • G. Rupprecht, R.O. Bell, B.D. Silverman. Phys. Rev. 123, 97 (1961)
  • J.R. Yeargan, H.L. Taylor. J. Appl. Phys. 39, 5600 (1968)
  • Yu.A. Boikov, T. Claeson. Supercond. Sci. Technol., in press
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.