Издателям
Вышедшие номера
Рентгеноспектральный микроанализ четверных полупроводниковых твердых растворов и его применение к системе (SnTe--SnSe) : In
Мошников В.А.1, Мошников А.В.1, Немов С.А.2, Парфеньев Р.В.3, Румянцева А.И.1, Черняев А.В.3
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 3 сентября 1998 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1999 г.

Разработана надежная методика локального определения химического состава многокомпонентных полупроводниковых твердых растворов и проверена возможность ее применения к системе четверных твердых растворов SnTe--SnSe, легированных 16 at% In. Изучено поведение электрического сопротивления образцов данных твердых растворов при низких температурах 0.4--4.2 K. Определены критическая температура Tc и второе критическое магнитное поле Hc2 сверхпроводящего перехода и их зависимости от состава твердых растворов. Сверхпроводящий переход с Tc~ 2-3 K обусловлен заполнением дырками резонансных состояний примеси In, наблюдаемое изменение параметров сверхпроводящего перехода при увеличении содержания Se в твердом растворе связывается со взаимным смещением экстремумов валентной зоны и полосы резонансных состояний In.
  • А.В. Березин, М.К. Житинская, С.А. Немов, Р.В. Парфеньев, Д.В. Шамшур. ФТТ 34, 4, 1216 (1992)
  • В.И. Кайданов, Ю.И. Равич. УФН 145, 1, 51 (1985)
  • Г.С. Бушмарина, И.А. Драбкин, В.В. Компаниец, Р.В. Парфеньев, Д.В. Шамшур, М.А. Шахов. ФТТ 28, 4, 1094 (1986)
  • В.И. Кайданов, С.А. Немов, Ю.И. Равич. ФТП 26, 201 (1992).
  • R.V. Parfeniev, D.V. Shamshur, M.A. Shakhov, Zb. Chrapkiewicz. J. of Alloys and Compounds 219, 313 (1995)
  • R.A. Hein, P.H.E. Meier. Phys. Rev. 179, 2, 497 (1969)
  • H.R.O'Neal, N.E. Phillips. Phys. Rev. A748, 137 (1965)
  • H. Miyauchi, T. Nakajima, E. Kanda. J. Phys. Soc. Jpn. 34, 282 (1973.)
  • С.Г. Конников, А.Ф. Сидоров. Электронно-зондовые методы исследования полупроводниковых материалов и приборов. Энергия, М. (1978). 136 с
  • Количественный электронно-зондовый микроанализ/ Под ред. В. Скотта, Г. Лава. Мир, М. (1986). 352 с
  • Л.А. Павлова, Л.Ф. Парадина. Рентгеноспектральный микроанализ и его применение в минералогии. Якутский научный центр СО АН СССР, Якутск (1990). 188 с
  • В.П. Афонин, В.И. Лебедь. Метод Монте-Карло в рентгеноспектральном микроанализе. Наука, Новосибирск (1989). 150 с
  • В.А. Мошников, Д.А. Яськов. Рентгеноспектральный микроанализ в физической химии полупроводников. Учеб. пособие. ЛЭТИ, Л. (1986). 48 с
  • С. Рид. Электронно-зондовый микроанализ. Пер. с англ. Мир, М. (1979). 423 с
  • А.И. Заславский, Т.Т. Дедегкаев, А.Ф. Сидоров. Графоаналитический микрозондовый анализ тройных систем. Аппаратура и методы рентгеновского анализа. Машиностроение, 17, 163 Л. (1975)
  • R. Assenov, A. Moshnikov, B. Patarov, D. Yaskov. Cryst. Res. Techn. 22, 10, 1289 (1987)
  • Г.С. Бушмарина, И.А. Драбкин, М.А. Квантов, О.Е. Квятковский. ФТТ 32, 10, 2869 (1990)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.