Издателям
Вышедшие номера
Деформационно-индуцированные спектры фотоотражения в области перехода E0 на гетероструктурах GaAs/Si и InP/Si
Кузьменко Р.В.1, Ганжа А.В.1, Бочурова О.В.1, Домашевская Э.П.1, Шрайбер Й.2, Хильдебрандт С.2, Мо Ш.3, Пайнер Э.3
1Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
2Fachbereich Physik der Martin-Luther-Universitat Halle-Wittenberg, Halle-Saale, Deutschland
3Institut fur Halbleitertechnik der Technischen Universitat Braunschweig, Braunschweig, Deutschland
Email: phssdl@main.vsu.ru
Поступила в редакцию: 26 сентября 1998 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1999 г.

Исследуется структура спектров фотоотражения (ФО) в области перехода E0 от тонких (d=1 mum-5 mum) пленок n-GaAs и n-InP (n=1016 cm-3-1017 cm-3), эпитаксиально выращенных на подложке Si (001). Количественный анализ спектров, проведенный в рамках многокомпонентной подгонки, показывает, что для обеих систем доминирующий вклад в среднеполевую электромодуляционную компоненту соответствует электронному оптическому переходу из подзоны \3/2;±1/2\. При этом наблюдаемые в спектрах ФО от системы GaAs/Si "структуры расщепления" в области главного пика спектра объясняются не эффектом расщепления валентной зоны под воздействием механического напряжения, а спектральным наложением среднеполевой компоненты из подзоны \3/2;±1/2\ с низкоэнергетической экситонной компонентой. Аналитически установленная энергия перехода E0\3/2±1/2\ используется для расчета биаксиальных напряжений в эпитаксиальных пленках.
  • D.J. Olego, M. Tamura, Y. Okuno, T. Kawano, A. Hashimoto. J. Appl. Phys. 71, 4329 (1992)
  • A. Lubnow, G.-P. Tang, H.-H. Wehmann, E. Peiner, A. Schlachetzki. Jpn. J. Appl. Phys. 33, 3628 (1994)
  • Numerical Data and Functional Relationships in Science and Technology / Ed. by K.-H. Hellwege, O. Madellung. Landolt-Boernstein, Springer-Verlag, Heidelberg (1984)
  • M. Sugo, N. Uchida, A. Yamamoto, T. Nishoka, M. Yamaguchi. J. Appl. Phys. 65, 591 (1992)
  • H.-H. Wehmann, G.-P. Tang, A. Schlachetzki. Solid State Phenomena 32-33, 445 (1993)
  • G. Landa, R. Carles, C. Fontaine, E. Bedel, A. Munoz-Yague. J. Appl. Phys. 66, 196 (1989)
  • F.H. Pollak. Materials research society 1995 Fall Metting, Boston (1995)
  • T. Kanata, H. Suzawa, M. Matsunaga, T. Takakura, Y. Hamakawa, H. Kato, T. Nishino. Phys. Rev. B41, 2936 (1990)
  • N. Bottka, D.K. Gaskill, R.J.M. Griffiths, R.R. Bradley, T.B. Joyce, C. Ito, D. McIntyre. J. Cryst. Growth 93, 481 (1988)
  • A. Dimoulas, P. Tzanetakis, A. Georgakilas, O.J. Glembocki, A. Christou. J. Appl. Phys. 67, 4389 (1990)
  • M. Dutta, H. Shen, S.M. Vernon, T.M. Dixon. Appl. Phys. Lett. 57, 1775 (1990)
  • S. Mo, E. Peiner, A. Bartels, G.-P. Tang, A. Schlachetzki, R. Kusmenko, S. Hildebrandt, J. Schreiber. Jpn. J. Appl. Phys. Part 1 35, 4238 (1996)
  • Y. Chen, A. Freundlich, H. Kamada, G. Neu. J. Appl. Phys. 54, 45 (1983)
  • N. Bottka, D.K. Gaskill, R.S. Sillmon, R. Henry, R. Glosser, J. Electron. Mater. 17, 161 (1988)
  • Р. Кузьменко, А. Ганжа, Й. Шрайбер, С. Хильдебрандт. ФТТ 39 12, 2123 (1997)
  • S. Hildebrandt, M. Murtagh, R. Kusmenko, W. Kircher, G.M. Crean, J. Schreiber, Phys. Stat. Sol. (a) 152 1, 147 (1995)
  • A. Bartels, E. Peiner, R. Klockenbrink, A. Schlachetzki. J. Appl. Phys. 78, 224 (1995)
  • H. Shen, M. Dutta. J. Appl. Phys. 78, 2151 (1995)
  • R. Kusmenko. Dissertation, Martin-Luther-Universitaet, Halle, BRD, 1993
  • D.E. Aspnes. Surf. Sci. 37, 418 (1973)
  • R.A. Batchelor, A.C. Brown, A. Hamnett. Phys. Rev. B41, 1401 (1990)
  • P.L. Jackson, E.G. Seebauer. J. Appl. Phys. 69, 943 (1991)
  • J.P. Estrera, W.M. Duncan, R. Glosser. Phys. Rev. B49, 1781 (1994)
  • R.N. Bhattacharya, H. Shen, P. Parayanthal, F.H. Pollak, T. Coutts, H. Aharoni. Phys. Rev. B37, 4044 (1988)
  • Г.Л. Бир, Г.Е. Пикус. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках. Наука, М. (1972). 584 с
  • C.P. Kuo, S.K. Vong, R.M. Cohen, G.B. Stringellow. J. Appl. Phys. 57, 5428 (1985)
  • H. Asai, K. Oe. J. Appl. Phys. 54, 45 (1983)
  • H. Shen, F.H. Pollak, J.M. Woodall. J. Vac. Sci. Technol. B8, 413 (1990)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.