Издателям
Вышедшие номера
Диэлектрические свойства монокристаллов дейтерированного триглицинсульфата (DTGS) в ультраслабых низко- и инфранизкочастотных электрических полях
Шильников А.В.1, Шувалов-=SUP=-*-=/SUP=- Л.А.1, Федорихин В.А.1, Поздняков А.П.1, Сопит А.В.1
1Волгоградская государственная архитектурно-строительная академия, Волгоград, Россия
Поступила в редакцию: 8 октября 1998 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1999 г.

Исследовалась комплексная диэлектрическая проницаемость varepsilon* с раздельным отсчетом по varepsilon' и varepsilon'' на низких и инфранизких частотах в ультраслабых полях. Определена эффективная проводимость gamma. Обнаружена аррениуссовская зависимость lnvarepsilon'(1/T), lnvarepsilon''(1/T) и lngamma(1/T) как в парафазе, так и в полярной фазе. Предположено, что проводимость кристалла DTGS в парафазе является ионной прыжковой проводимостью.
  • А.И. Баранов. Изв. АН СССР. Сер. физ. 51, 12, 21 (1987)
  • Н.Д. Гаврилова, А.М. Лотонов, И.Н. Медведев, В.К. Новик. Сегнетоэлектрики и пьезоэлектрики. Изд-во Тверского ун-та, Тверь (1991). 146 с
  • Н.Д. Гаврилова, А.М. Лотонов. Изв. РАН. Сер. физ. 57, 3, 123 (1993)
  • Н.Д. Гаврилова, В.К. Новик, С.В. Павлов. Изв. РАН. Сер. физ. 57, 6, 128 (1993)
  • А.В. Шильников, Е.Г. Надолинская, В.А. Федорихин, С.В. Родин. Кристаллография 39, 1, 84 (1994).
  • В.М. Гуревич. Электропроводность сегнетоэлектриков. Изд-во Комитета стандартов, мер и измерительных приборов при Совете Министров СССР, М. (1969). 383 с
  • Л. Лидьярд. Ионная проводимость кристаллов. Изд-во иностр. лит., М. (1962). 220 с
  • М. Лайнс, А. Гласс. Сегнетоэлектрики и родственные им кристаллы. Мир, М. (1981). 736 с
  • А.В. Шильников, Н.М. Галиярова, Е.Г. Надолинская, С.В. Горин, М.А. Шуваев. Кристаллография 31, 2, 326 (1986)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.