Издателям
Вышедшие номера
Поверхностная диффузия Ni на Si(111) при коадсорбции Co
Долбак А.Е.1, Ольшанецкий Б.З.1, Тийс С.А.1, Жачук Р.А.1
1Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: olshan@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 15 сентября 1998 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1999 г.

Методами дифракции медленных электронов и электронной оже-спектроскопии исследовано влияние коадсорбции Co и Ni на структуру поверхности Si(111) и диффузию адсорбированных атомов. Установлено, что при коадсорбции Ni и Co на поверхности Si(111) формируются поверхностные структуры, подобные структурам, образующимся при адсорбции только Co. Обнаружено, что на поверхности Si(111) с субмонослойными концентрациями Co в диапазоне температур 500-750oC резко возрастает вклад поверхностной диффузии в транспорт атомов Ni по сравнению с чистой поверхностью, где основным механизмом переноса Ni вдоль поверхности является диффузия его атомов через объем Si.
  • Б.И. Болтакс. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках. Наука, Л. (1972). 384 с
  • Я.Е. Гегузин, Ю.С. Кагановский. Диффузионные процессы на поверхности кристалла. Энергоиздат, М. (1984). 124 с
  • J. Yuhara, R. Ishigami, K. Morita. Surface Sci. 326, 1, 133 (1995)
  • H. Daimon, C. Chung, S. Ino, Y. Watanabe. Surface Sci. 235, 1, 142 (1990)
  • I. Homma, Y. Tanishiro, K. Yagi. Surface Sci. 242, 1, 81 (1991)
  • Y.L. Gavrilyuk, V.G. Lifshits, N. Enebish. Surface Sci. 297, 2, 345 (1993)
  • A.V. Zotov, S.V. Ryzhkov, V.G. Lifshits. Surface Reviews and Letters 1, 2/3, 285 (1994)
  • A. Vantomme, M.F. Wu, G. Langouche, J. Tavares, H. Bender. Nuclear Inst. Meth. in Phys. Res. Sect. B106, 2, 404 (1995)
  • S. Hong, C. Porri, P. Wetzel, G. Gewinner. Phys. Rev. B55, 19, 13040 (1997)
  • X.N. Li, Z. Zhang, C. Dong, Z.X. Gong, T.C. Ma, S. Jin. Thin Solid Films 304, 1--2, 196 (1997)
  • D. Mangelinck, L. Wang, C. Lin, P. Gas, J. Grahn, M. Oestling. J. Appl. Phys. 83, 8, 4193 (1998)
  • P.W. Palmberg, G.E. Riach, R.E. Weber, N.C. Mac-Donnald. Handbook of Auger Electron Spectroscopy. Phys. Elek. Ind. Inc., Minnesota (1972)
  • J.W. Ridgway, D. Haneman. Surface Sci. 26, 2, 687 (1971)
  • N. Cherief, R. Cinti, M. De Crescenzi, J. Derrien, T.A. Nguyen Tan, J.Y. Veuillen. Appl. Surf. Sci. 41/42, 241 (1989)
  • A.E. Dolbak, B.Z. Olshanetsky, S.I. Stenin, S.A. Teys, T.A. Gavrilova. Surface Sci. 218, 1, 37 (1989)
  • A.E. Dolbak, B.Z. Olshanetsky, S.A. Teys. Surface Sci. 373, 1, 43 (1997)
  • J.G. Clabes. Surface Sci. 145, 1, 87 (1984)
  • A.J. Van Bommel, F. Meyer. Surface Sci. 8, 1--2, 467 (1967)
  • Eicke R. Weber. Appl. Phys. A30, 1, 1 (1983)
  • А.Е. Долбак, Б.З. Ольшанецкий, С.А. Тийса, Р.А. Жачук. Письма в ЖЭТФ 66, 9 611 (1977)
  • М.К. Бахадырканов, Б.И. Болтакс, Г.С. Куликов. ФТТ 12, 1, 181 (1970); [Sov. Phys. Solid State 12, 1, 144 (1970)]
  • H. Kitagava, K. Hashimoto. Jpn. J. Appl. Phys. 16, 1, 173 (1977)
  • M.Y. Lee, P.A. Bennett. Phys. Rev. Lett. 75, 24, 4460 (1995)
  • A.E. Dolbak, B.Z. Olshanetsky, S.I. Stenin, S.A. Teys. Surface Sci. 247, 1, 32 (1991)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.