"Журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Газочувствительность диодных структур на основе карбида кремния
Филиппов В.И.1, Иванов П.А.2, Синянский В.Ф.1, Терентьев А.А.1, Якимов С.С.1
1Российский научный центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 17 ноября 1997 г.
Выставление онлайн: 20 января 1999 г.

Исследовано изменение электрофизических характеристик Pt/6H--SiC структур при воздействии водорода. Обнаружено, что изменение величины напряжения смещения Pt/6H--SiC структуры при фиксированной емкости связано с концентрацией водорода уравнением Нернста. Отклик сенсора при 150oC составляет 39 mV на декаду изменения концентрации водорода. Получены изменения прямого и обратного токов и дифференциальных сопротивлений диодной структуры в атмосфере содержащей водород. Смещение вольт-фарадной характеристики в сторону отрицательных напряжений и уменьшение дифференциального сопротивления перехода вызваны уменьшением высоты потенциального барьера диода Шоттки в результате диссоциативной адсорбции водорода с образованием двойного заряженного слоя на границе металл--полупроводник. При рабочей температуре структуры около 150oC характеристики структур стабильны. Исследовано влияние температурного (500oC) отжига. Образование при этой температуре силицидов платины приводит к деградации газочувствительных свойств перехода металл-полупроводник.
  • Solid State Chemical Sensors / Ed. J. Janata, R.J. Hubert. Academic press, 1985. 209 p
  • Lundstrom I., Spetz A., Winquist F. et al. // Sensors and Actuators. 1990. Vol. B1. P. 15--20
  • Moritz W., Filippov V., Bartolomaus L. et al. // Proc. Intern. Conf. on Solid State and Actuators. Chicago, 1997. P. 1073--1076.
  • Иванов П.А., Челноков В.Е. // ФТП. 1995. Т. 29. Вып. 11. С. 1921--1943
  • Spetz A., Arbab A., Lundstrom I. // Proc. 5-=SUP=-th-=/SUP=- SiC and Related Materials Conf. Washington, 1993. P. 629--632
  • Nylander C., Armgarth M., Svensson C. // J. Appl. Phys. 1984. Vol. 56(4). P. 1177--1188
  • Дученко М.О., Калыгина В.М. // Поверхность. 1995. N 1. C. 65--69
  • Chen L.-Y., Hunter G.W., Neudeck P.G. et al. // Transactions 3-=SUP=-th-=/SUP=- Intern. High Temperature Electronics Conf. New Mexico: Albuquerque, 1996. P. 17--22
  • Кикоин Л.И., Терентьев А.А., Филиппов В.И., Якимов С.С. // ЖТФ. 1994. Т. 64. Вып. 7. С. 131--136
  • Filippov V., Terentjev A., Yakimov S. // Sensors and Actuators. B. 1994. Vol. 17. P. 121--124
  • Ito K., Nakazawa T., Tamagawa A. // Proc. 3-=SUP=-rd-=/SUP=- Sensor Symposium. 1983. P. 191--194
  • Зи С.М. Физика полупроводниковых приборов. М.: Энергия, 1973. 655 с
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.