Исследовано изменение электрофизических характеристик Pt/6H--SiC структур при воздействии водорода. Обнаружено, что изменение величины напряжения смещения Pt/6H--SiC структуры при фиксированной емкости связано с концентрацией водорода уравнением Нернста. Отклик сенсора при 150oC составляет 39 mV на декаду изменения концентрации водорода. Получены изменения прямого и обратного токов и дифференциальных сопротивлений диодной структуры в атмосфере содержащей водород. Смещение вольт-фарадной характеристики в сторону отрицательных напряжений и уменьшение дифференциального сопротивления перехода вызваны уменьшением высоты потенциального барьера диода Шоттки в результате диссоциативной адсорбции водорода с образованием двойного заряженного слоя на границе металл--полупроводник. При рабочей температуре структуры около 150oC характеристики структур стабильны. Исследовано влияние температурного (500oC) отжига. Образование при этой температуре силицидов платины приводит к деградации газочувствительных свойств перехода металл-полупроводник.
Solid State Chemical Sensors / Ed. J. Janata, R.J. Hubert. Academic press, 1985. 209 p
Lundstrom I., Spetz A., Winquist F. et al. // Sensors and Actuators. 1990. Vol. B1. P. 15--20
Moritz W., Filippov V., Bartolomaus L. et al. // Proc. Intern. Conf. on Solid State and Actuators. Chicago, 1997. P. 1073--1076.
Иванов П.А., Челноков В.Е. // ФТП. 1995. Т. 29. Вып. 11. С. 1921--1943
Spetz A., Arbab A., Lundstrom I. // Proc. 5-=SUP=-th-=/SUP=- SiC and Related Materials Conf. Washington, 1993. P. 629--632
Nylander C., Armgarth M., Svensson C. // J. Appl. Phys. 1984. Vol. 56(4). P. 1177--1188
Дученко М.О., Калыгина В.М. // Поверхность. 1995. N 1. C. 65--69
Chen L.-Y., Hunter G.W., Neudeck P.G. et al. // Transactions 3-=SUP=-th-=/SUP=- Intern. High Temperature Electronics Conf. New Mexico: Albuquerque, 1996. P. 17--22
Кикоин Л.И., Терентьев А.А., Филиппов В.И., Якимов С.С. // ЖТФ. 1994. Т. 64. Вып. 7. С. 131--136
Filippov V., Terentjev A., Yakimov S. // Sensors and Actuators. B. 1994. Vol. 17. P. 121--124
Ito K., Nakazawa T., Tamagawa A. // Proc. 3-=SUP=-rd-=/SUP=- Sensor Symposium. 1983. P. 191--194
Зи С.М. Физика полупроводниковых приборов. М.: Энергия, 1973. 655 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2017 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук