"Журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Физическая модель эволюции дефектной системы карбида кремния с учетом внутренних полей упругих напряжений при имплантации ионами Al+ и N+ и последующем отжиге
Куликов Д.В.1, Трушин Ю.В.1, Рыбин П.В.1, Харламов В.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 20 ноября 1998 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1999 г.

Предполагается теоретическое рассмотрение образования и развития дефектов в карбиде кремния, имплантированном ионами азота и алюминия, а затем отожженного. Учитываются диффузия дефектов, комплексообразование, влияние внутренних полей упругих напряжений, созданных имплантированными ионами и образовавшимися комплексами, на миграцию межузлий. Получено удовлетворительное согласие расчетных распределений дефектов с экспериментальными данными. Численно оценены некоторые кинетические параметры карбида кремния.
  • Harris G.L. Properties of Silicon Carbide. London: INSPEC, 1995. 339 p
  • Shenai K., Scott R.S., Baliga B.J. // IEEE Trans. Elec. Dev. 1989. Vol. 36. P. 1811--1820
  • Ruff M., Mitlehner H., Helbig R. // IEEE Trans. Elec. Dev. 1994. Vol. 41. P 1040
  • Pensl G., Troffer Th. // Solid State Phenomena. 1996. Vol. 47--48. P. 115
  • Choyke W.J., Pensl G. // MRS Bulletin. 1997. N 3. P 25
  • O'Connor J.R., Smilttens J. Silicon Carbide, a High-Temperatures Semiconductor. New York: Pergamon, 1960. 435 p
  • Davis R.F., Kelner G., Shur M., Palmour J.W., Edmond J.A. // Proc. IEEE. 1991. Vol. 79. P. 677-689
  • Powell J.A., Neudeck P.G., Matus L.G., Petit J.B. // Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 1992. Vol. 242. P. 495--501
  • Verma A., Krishna P. Polymorphism and Polytypism in Crystals. New York: Wiley, 1966. 233 p
  • Pirouz P., Yang J.W. // Ultramicroscopy. 1993. Vol. 51. P. 189--197
  • Heera V., Skorupa W. // Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 1997. Vol. 438. P. 241--252
  • Edgar J.H. // J. Mater. Res. 1992. Vol. 7. N 1. P. 235--245
  • Wesch W. // Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B. 1996. Vol. 116. P. 305--315
  • Fisher G.R., Barnes P. // Phylos. Mag. B. 1990. Vol. 61. P 217--228
  • Evino P., Li J., Huntz A.M., Chaumont J. // Mater. Sci. Eng. B. 1992. Vol. 11. P 331--344
  • Dunbar P., Birnie P. // J. Amer. Ceram. Soc. 1986. Vol. 69. P. 33--40
  • Константинов А.О. // ФТП. 1992. Т. 26. Вып. 2. С. 270--282
  • Huang H., Chonien N. // J. Nucl. Mater. 1994. Vol. 212--215. P. 148--155
  • Мохов Е.Н., Водаков Ю.А., Ломакина Г.А. // ФТП. 1969. Т. 11. С. 519--530
  • Kroto L.J., Mitnes A.G. // Sol. St. Electron. 1996. Vol. 9. P. 1125--1134
  • Spitznagel J.A., Wood S., Choyke W.J. et al. // Nucl. Instr. Meth. B. 1986. Vol. 16. P. 237--245
  • Davis R.F. // Thin Solid Films. 1989. Vol. 181. P. 1--10
  • Edmond J.A., Withrow S.P., Kong H.S., Davis R.F. // Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 1986. Vol. 51. P. 395--404
  • Mc Hargue C.J., Williams J.M. // Nucl. Instr. Meth. B. 1993. Vol. 80/81. P. 889--900
  • Fohl A., Emrick R.M., Carstanjen H.D. // Nucl. Instr. Meth. B. 1992. Vol. 65. P 335--347
  • Mc Hargue C.J., Joslin D.L., Williams J.M. // Nucl. Instr. Meth. B. 1990. Vol. 46. P. 185--193
  • Derst G., Wilbertz C., Bhatia K.L., Kratshmer W., Kalbitzer S. // Appl. Phys. Lett. 1989. Vol. 54. P. 1722--1725
  • Wendler E., Heft A., Zammit U. et al. // Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B. 1996. Vol. 116. P. 396--406
  • Wesch W., Heft A., Heindl J. et al. // Nucl. Instr. Meth. B. 1995. Vol. 106. P. 339--351
  • Petzold J., Kalnin A.A., Moskwina D.R., Savelyev W.D. // Nucl. Instr. Meth. B. 1993. Vol. 80/81. P. 8943--8951
  • Perez-Rodrigez A., Pacaud Y., Calvio-Barro L. et al. // J. Electr. Mater. 1996. Vol. 25. P. 541--552
  • Pacaud Y., Stoemenos J., Brauer G. et al. // Nucl. Instr. Meth. B. 1996. Vol. 120. P. 177--185
  • Pacaud Y., Skorupa W., Stoemenos J. // Nucl. Instr. Meth. B. 1996. Vol. 120. P. 181--190
  • Gardner J., Rao M.V., Holland O.W. et al. // J. Electr. Mater. 1996. Vol. 25. P. 885--894
  • Glaser E., Heft A., Heindl J. et al. // Inst. Phys. Conf. Ser. 1996. Vol. 142. P. 557--563
  • Toda T., Yagi K., Koga K., Yoshida K., Niina T. // Proc. 6-=SUP=-th-=/SUP=- ICSCRM. IOPC. Ser. 142. IOP Publ., 1996. P. 545--551
  • Ahmed S., Barbero C.J., Sigmon T.W. // J. Appl. Phys. 1995. Vol. 77. P. 6194--6201
  • Behar M., Fichtner P.F.P., Grande P.L., Zawislak F.C. // Mater. Sci. Eng. 1995. Vol. 15. P. 1--9
  • Heera V., Stoemenos J., Kogler R., Skorupa W. // J. Appl. Phys. 1995. Vol. 77. P 2999--3006
  • Albertazzi E., Lulli G. // Nucl. Instr. Meth. B. 1996. Vol. 120. P. 147--155
  • Neudeck P.G. // J. Electr. Mater. 1995. Vol. 24. P. 283--289
  • Culter B., Viber P.D., Rafaniello W. et al. // Nature. 1978. Vol. 275. P. 434--438
  • Rafaniello W., Cho K., Yrkar Y. // J. Mater. Sci. 1981. Vol. 16. N 1. P. 3--11
  • Zangvil A., Ruh R. // J. Amer. Ceram. Soc. 1988. Vol. 71. P. 884--892
  • Kern R.S., Tanaka S., Davis R.F. // Inst. Phys. Conf. Ser. 1994. Vol. 137. P. 389--395
  • Yankov R.A., Hatzopoulos N., Fukarek W. et al. // Mat. Res. Symp. Proc. 1997. Vol. 438. P. 271--276
  • Pezoldt J., Yankov R.A., Fukarek W. et al. // Proc. 39-=SUP=-th-=/SUP=- Electronic Materials Conf. Colorado (USA), 1997. To be publ. in J. Electron. Mater
  • Янков Р.А., Фельскон М., Крайссиг У. и др. // Письма в ЖТФ. 1997. Т. 23. Вып. 16. С. 6--14
  • Kharlamov V.S., Kulikov D.V., Truschin Yu.V. et al. // Program and Abstracts of International Workshop on New Approaches to Hi-Tech Materials 97 (Nondestructive Testing and Computer Simulations in Materials Science and Engineering). St. Petersburg, 1997. P. C2--C13
  • Truschin Yu.V., Yankov R.A., Kharlamov V.S. et al. // Material Science Forum. 1998. Vol. 264--268. P. 757--760
  • Yankov R.A., Fukarek W., Voelskow M. et al. // Materials Science Forum. 1998. Vol. 264--268. P. 753--756
  • Truschin Yu.V. Theory of Radiation Processes in Metal Solid Solutions. New York: Nova Science Publishers Inc., 1996. 405 p
  • Куликов Д.В., Трушин Ю.В., Янков Р.А. и др. // Письма в ЖТФ. 1997. Т. 24. Вып. 1. С. 39--44
  • Kulikov D.V., Pezoldt J., Rybin P.V. et al. // Program and Abstract of International Workshop on New Approaches to HiTech Materials 98 (Nondestructive Testing and Computer Simulations in Materials Science and Engineering). St. Petersburg, 1998. P. E7
  • Kulikov D.V., Suris R.A., Truschin Yu.V. // Supercond. Sci. \& Techn. 1995. Vol. 8. P. 303--310.
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.