Издателям
Вышедшие номера
Глубокие уровни собственных точечных дефектов и природа "аномального" оптического поглощения в ZnGeP2
Брудный В.Н.1, Воеводин В.Г.1, Гриняев С.Н.1
1Томский государственный университет, Томск, Россия
Поступила в редакцию: 21 ноября 2005 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2006 г.

Методами псевдопотенциала и расширенной элементарной ячейки исследованы глубокие уровни одиночных вакансий и антиструктурных дефектов в соединении ZnGeP2. Проведено сравнение с соответствующими результатами для изоэлектронного аналога GaP. Показано, что за счет понижения симметрии решетки и анизотропии химической связи в ZnGeP2 происходят значительные расщепления вырожденных в GaP глубоких уровней. В частности, расщепление уровня VP0(t2) составляет 1.58 eV. Усредненные уровни дефектов в ZnGeP2 находятся в близком соответствии с уровнями дефектов в GaP. Вычислены коэффициенты поглощения в поляризованном свете с участием нейтральных и заряженных состояний дефектов, определены оптические переходы, вызывающие пики поглощения в инфракрасной области спектра ZnGeP2. Показано, что первые пики поглощения обусловлены переходами электронов на глубокие уровни VZn-1 и VP0 из состояний валентной зоны, находящихся в глубине зоны Бриллюэна, что приводит к существенному сдвигу (~0.3 eV) этих пиков в сторону больших энергий по сравнению с энергиями залегания глубоких уровней в запрещенной зоне относительно потолка валентной зоны. На основе анализа электронной плотности проведена согласованная интерпретация экспериментальных данных по фотоиндуцированным ЭПР-спектрам в постростовых и облученных электронами кристаллах ZnGeP2. PACS: 61.72.Bb, 71.55.Ht, 81.05.Hd
  • Полупроводники A-=SUP=-2-=/SUP=-B-=SUP=-4-=/SUP=-C-=SUP=-5-=/SUP=--=SUB=-2-=/SUB=- / Под ред. Н.А. Горюновой, Ю.А. Валова. Сов. радио, М. (1974). 374 с; J.L. Shay, J.H. Wernick. Chalcopyrite semiconductors: growth, electronic properties and applications. Pergamon Press, N.Y. (1975). P. 168; В.Д. Прочухан, Ю.В. Рудь. ФТП 12, 209 (1978); Ю.В. Рудь. Изв. вузов. Физика 29, 68 (1986); Г.А. Медведкин, Ю.В. Рудь, М.А. Таиров. Препринт ФТИ им. А.Ф. Иоффе АН СССР N 1185. Л. (1987). 65 с: Ю.М. Андреев, В.Г. Воеводин, А.И. Грибенюков, В.П. Новиков. Квантовая электрон. 14, 177 (1987); Ю.И. Рудь. ФТП 28. 1105 (1994); K.L. Vodopyanov, V.G. Voevodin. Opt. Commun. 117, 277 (1995); M.C. Ohmer, R. Pandey. MRS Bull. July, 16 (1998)
  • В.Г. Воеводин, В.А. Чалдышев. Вестн. ТГУ 285, 63 (2005)
  • G.C. Xing, K.C. Bachmann. Appl. Phys. Lett. 56, 271 (1990); В.Г. Воеводин, О.В. Воеводина. Изв. вузов. Физика 36, 40 (1993); N. Dietz, I. Tsveybak, W. rudemann, G. Wood, K. Bachmann. Appl. Phys. Lett. 65, 2759 (1994)
  • V.N. Brudnyi, D.L. Budnitskii, M.A. Krivov, R.V. Masagutova, V.D. Prochukhan, Yu.V. Rud. Phys. Stat. Sol. (a) 50, 379 (1978); В.Н. Брудный, В.А. Новиков, Е.А. Попова. Изв. вузов. Физика 29, 123 (1986); P.G. Schunemann, P.J. Drevinsky, M.C. Ohmer, W.C. Mitchell, N.C. Fernelius. Mat. Res. Soc. Symp. Proc. (Pittsburg) 354, 729 (1995)
  • Ю.В. Рудь, Р.В. Масагутова. Письма в ЖТФ 7, 167 (1981); P.G. Schunemann, T.H. Pollak. MRS Bull. July, 23 (1998)
  • В.Г. Воеводин, В.Е. Степанов. Изв. вузов. Физика 37, 3 (1994)
  • P.G. Schunemann, P.J. Drevinsky, M.C. Ohmer. Mat. Res. Soc. Symp. Proc. (Pittsburg) 354, 579 (1995)
  • А.А. Вайполин, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, Т.Н. Ушакова. ФТП 33, 1411 (1999)
  • S.D. Setzler, P.G. Schunemann, T.M. Pollak, M.C. Ohmer, J.T. Goldstein, F.K. Hopkins, K.T. Stevens, L.E. Halliburton, N.C. Giles. J. Appl. Phys. 86, 6677 (1999); S.D. Setzler, N.C. Giles, L.E. Halliburton, P.G. Schunemann, T.M. Pollak. Appl. Phys. Lett. 74, 1218 (1999); M.H. Rakowsky, W.K. Kuhn, W.J. Lauderdale, L.E. Halliburton, G.J. Edwards, M.P. Scripsick, P.G. Schunemann, T.M. Pollak, M.C. Ohmer, F.K. Hopkins. Appl. Phys. Lett. 64, 1615 (1994)
  • K.T. Stevens, S.D. Setzler, L.E. Halliburton, N.C. Fernelius, P.G. Schunemann, T.M. Pollak. Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 484, 549 (1998)
  • G.K. Averkieva, V.S. Grigoreva, I.A. Maltseva, V.D. Prochukhan, Yu.V. Rud. Phys. Stat. Sol. (a) 39, 453 (1977); И.С. Горбань, В.В. Грищук, И.Г. Трегуб, М.В. Чукичев. ФТП 18, 1426 (1984); J.E. McCrae, Jr., M.R. Gregg, R.L. Hengehold, Y.K. Yeo, P.H. Ostdiek, M.C. Ohmer, P.G. Schunemann, T.M. Pollak. Appl Phys. Lett. 64, 3142 (1994)
  • N.C. Giles, L.E. Halliburton, P.G. Schunemann, T.M. Pollak. Appl. Phys. Lett. 66, 1758 (1995); N.C. Giles, L.E. Halliburton. Mat. Res. Soc. Bull. 7, 37 (1998)
  • W. Gehlhoff, D. Azamat, A. Hoffman, N. Dietz. Books. of Abstr. 13th Int. Conf. on Ternary and Multinary Compounds. Paris (2002). P. 185
  • Y. Shimony, G. Kimmel, O. Raz, M.P. Dariel. J. Cryst. Growth 198/199, 583 (1999)
  • G.A. Verozubova, A.I. Gribenyukov, A.W. Vere, C. Flynn, Y.V. Ivanov. Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 607, 457 (2000)
  • V.G. Voevodin, S.N. Grinyaev, O.V. Voevodina. Mater. Sci. Semicond.. Proc. 6, 385 (2003)
  • А.И. Губанов. ФТТ 27, 2724 (1985); ФТП 19, 1145 (1985)
  • P. Zapol, R. Pandey, M. Ohmer, J. Gale. J. Appl. Phys. 79, 671 (1996)
  • M.C. Petcu, N.C. Giles, P.G. Schunemann, T.M. Pollak. Phys. Stat. Sol. (b) 198, 881 (1996)
  • S. Limpijumnong, W.R.L. Lambrecht, B. Segall. Phys. Rev. B 60, 8087 (1999)
  • A. Shileika. Surf. Sci. 37, 730 (1973); А. Шилейка. В кн.: В. Денис, Ж. Канцлерис, А. Матуленис, Ю. Пожела, А. Реклайтис, А. Шилейка, Р. Толутис. Многодолинные полупроводники / Под ред. Ю. Пожелы. Мокслас, Вильнюс (1978), С. 143
  • С.Н. Гриняев, В.А. Чалдышев. ФТП. 30, 2195 (1996); 32, 1094 (1998); 35, 84 (2001)
  • С.Н. Гриняев, С.Г. Катаев, А.В. Нявро, В.А. Чалдышев. Изв. вузов. Физика 28, 122 (1985)
  • В.А. Чалдышев, В.Н, Покровский. Изв. вузов. Физика 3, 173 (1960)
  • C. Varea de Alvarez, J.P. Walter, M.L. Cohen, J. Stokes. Phys. Rev. B 6, 1412 (1972)
  • J.L. Shay, B. Tell, E. Buehler, J.H. Wernick. Phys. Rev. Lett. 30, 983 (1973)
  • H. Ehrenreich, M.H. Cohen. Phys. Rev. 115, 786 (1959)
  • K.C. Hass, B. Velicky, H. Ehrenreich. Phys. Rev. B 29, 3697 (1984)
  • Полупроводники II--IV--V2. Физические исследования, проблемы и возможности применений. Темат. вып. / Под ред. В.М. Тучкевича. Изв. вузов. Физика 29, 8 (1986)
  • C. Varea de Alvarez, M.L. Cohen, S.E. Kohn, Y. Petroff, Y.R. Shen. Phys. Rev. B 10, 5175 (1974)
  • С.Н. Гриняев, Г.Ф. Караваев. ФТП 31, 545 (1997)
  • С.Г. Гриняев, В.А. Чалдышев. Изв. вузов. Физика 39, 13 (1996)
  • M. Jaros. Adv. Phys. 29, 409 (1980); J. Jaros, S. Brand. J. Phys. C: Solid State Phys. 12, 525 (1979)
  • В.Н. Брудный, С.Н. Гриняев, Н.Г. Колин. ФТП 39, 409 (2005)
  • P. Vogl. Festkorperprobleme XXI, 191 (1981)
  • A. Fazzio, A. Janotti, A.J. de Silva. Phys. Rev. B 61, R 2401 (2000)
  • G. Schwartz, A. Kley, J. Neugebauer, M. Scheffler. Phys. Rev. B 58, 1392 (1998)
  • W. Potz, D.K. Ferry. Phys. Rev. 31, 968 (1985)
  • T.L. Reinecke, P.J. Lin-Chung. Solid State Commun. 40, 285 (1981)
  • A. Kobayashi, O.F. Sankey, J.D. Dow. Phys. Rev. B 28, 946 (1983)
  • K.M. Lee, K.P. O'Donnell, G.D. Watkins. Solid State Commun. 41, 881 (1982)
  • В.Н. Брудный, С.Н. Гриняев, Н.Г. Колин. ФТП 37, 557 (2003); V.N. Brudnyi, S.N. Grinyaev, N.G. Kolin. Physica B 348, 213 (2004)
  • P.J. Lin-Chung. Phys. Stat. Sol. (b) 85, 743 (1978)
  • K.T. Stevens, S.D. Setzler, P.G. Schunemann, T.M. Pollak, N.C. Giles, L.E. Halliburton. Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 607, 379 (2000); M. Moldovan, K.T. Stevens, L.E. Halliburton, P.G. Schunemann, T.M. Pollak, S.D. Setzler, N.C. Giles. Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 607, 445 (2000)
  • A. Hoffmann, H. Born, A. Naser, W. Gehlhoff, J. Maffetone, D. Petrov, W. Ruderman, I. Zwieback, N. Dietz, K.J. Bachmann. Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 607, 373 (2000)
  • I. Zwieback, J. Maffetone, D. Perlov, J. Harper, W. Ruderman, K. Bachmann, N. Dietz. Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 607, 409 (2000).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.