Явления самоорганизации при деформационно-тепловой неустойчивости в ходе анодного травления кремния в растворе HF
Кузнецов В.С.1, Проказников А.В.1
1Ярославский государственный университет им. П.Г. Демидова, Институт микроэлектроники РАН
Поступила в редакцию: 14 сентября 1998 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1999 г.
Предлагается одна из моделей самоорганизации во время анодного травления при изготовлении пористого кремния.
- Николис Г., Пригожин И. Познание сложного. М.: Мир, 1990. 344 с
- Емельянов В.И., Уварова И.Ф. // Изв. Академии Наук. Сер. Физ. 1986. Т. 50. N 6. С. 1214
- Ефимов И.О., Кривенко А.Г., Бендерский В.А. // Электрохимия. 1989. Т. 25. N 12. C. 1587
- Емельянов В.И., Сумбатов А.А. // Поверхность. 1988. Т. 7. С. 122
- Prokaznikov A.V., Maslenitsyn S.F., Svyatchenko A.A., Pavlov S.T. // Solid State Communikations. 1994. V. 90. N 4. P. 217
- Prokaznikov A.V., Mokrousov N.E., Vinke A.L., Pavlov S.T. // Phys. Low-Dim. Struct. 1994. V. 2. P. 87
- Шёлль Э. Самоорганизация в полупроводниках. М.: Мир, 1991. 459 с
- Гафайчук В.В., Дацко Б.И., Кернер Б.С., Осипов В.В. // ФТП. 1990. Т. 24. N 7. С. 1282
- Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Теория упругости. М: Наука, 1965. 202 с
- Зи С.М. Физика полупроводниковых приборов. М.: Энергия, 1973. 655 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук