"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Лазеры на основе AlGaAsSb, излучающие в области 1.6 mum
Данилова Т.Н.1, Журтанов Б.Е.1, Именков А.Н.1, Сиповская М.А.1, Яковлев Ю.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 19 ноября 1998 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1999 г.

Изготовлены и исследованы лазеры на основе AlGaAsSb с разным содержанием Al в активной и ограничительных областях, излучающие в области ~ 1.6 mum. Твердый раствор AlGaAsSb в активной области прямозонный с малым энергетическим расстоянием между прямозонным Gamma минимумом и непрямозонным L минимумом (~ 56 meV) зоны проводимости (~ 56 meV). Спектры лазеров одномодовые с преимущественной продольной модой в пространственном распределении излучения. Лазеры работают при комнатной температуре в импульсном режиме.
  • Chernin S.M., Barskaya E.G. // Appl. Opt. 1991. V. 30. P. 51
  • Beresin A., Chernin S., Ershov O., Kutnyak V., Nadezhdinskii A. // 2nd International Conference on Tunable Diode Laser Spectroscopy. 1998. Moscow. Abstracts of papers. P. 33
  • Weldon V., Phelan P., Hegarty J. // Electron. Lett. 1992. V. 28 (22). P. 2098--2099
  • Weldon V., Phelan P., Hegarty J. // Electron. Lett. 1993. V. 29. P. 560--561
  • Mead C.A., Spitzer W.G. // Phys. Rev. Lett. 1963. V. 11. P. 358
  • Акимов Ю.А., Буров А.А., Загаринский Е.А., Крюкова И.В., Петрушенко Ю.В., Степанов Б.М. // Квант. электр. 1975. Т. 2. С. 68
  • Андреев И.А., Баранов А.Н., Афраилов М.А., Данильченко В.Г., Михайлова М.П., Яковлев Ю.П. // Письма в ЖТФ. 1986. Т. 12 (21). С. 1311--1315
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.