Издателям
Вышедшие номера
Низкочастотный шум в монодисперсных наноструктурах платины вблизи порога протекания
Румянцев С.Л.1,2, Левинштейн М.Е.1, Гуревич С.А.1, Кожевин В.М.1, Явсин Д.А.1, Shur M.S.2, Pala N.2,3, Khanna A.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Department of Electrical, Computer, and Systems Engineering, Rensselaer Polytechnic Institute, Troy, USA
3Sensor Electronic Technology, Inc., SC Columbia, USA
Email: vmk@pltec.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 2 февраля 2006 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2006 г.

Установлено значение порога протекания p0~0.6 для монодисперсных наноструктур платины (Pt) с размером металлических частиц 1.8 nm, нанесенных в виде монослоя на диэлектрическую подложку методом лазерного электродиспергирования. Показано, что в "металлическом" состоянии (при p>p0) как величина шума, так и его температурная зависимость близки к аналогичным параметрам чисто металлических слоев Pt. Частотная зависимость относительной спектральной плотности шума описывается зависимостью SI/I2~1/fgamma с величиной gamma, близкой к единице. При плотностях тока j>=q107-108 A/cm2 спектральная плотность шума SI возрастает с дальнейшим ростом тока быстрее, чем I2, за счет генерации током избыточных дефектов. При p<p0 в широком температурном диапазоне зависимость проводимости sigma от температуры хорошо описывается известным законом sigma~exp[-(T0/T)1/2]. Относительная спектральная плотность шума SI/I2 на много порядков превышает соответствующее значение для квазиметаллической структуры. Спектральная плотность шума SI приблизительно пропорциональна квадрату тока только при очень малых токах, а затем резко возрастает с дальнейшим ростом тока. В Физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе работа поддержана Российским фондом фундаментальных исследований (гранты N 05-02-1774, 05-02-1772), Федеральной целевой НТП программой "Физика твердотельных наноструктур", программой Президиума РАН "Низкоразмерные квантовые структуры", программой фундаментальных исследований ОФН РАН "Новые материалы и структуры", грантом CRDF 2681. В Rensselaer Polytechnic Institute работа поддержана National Science Foundation (Project Monitor Dr. James Mink). PACS: 61.46.Df, 73.63.-b, 73.50.Td
  • S. Rusponi, N. Weiss, T. Cren, M. Epple, H. Brune. Appl. Phys. Lett. 87, 162 514 (2005)
  • A. Bose, S. Basu, S. Banerjee, D. Chakravorty. J. Appl. Phys. 98, 074 307 (2005)
  • S.V. Vyshenski. Phys. Low-Dim. Structures 11/12, 9 (1994)
  • R.H. Chen, K.K. Likharev. Appl. Phys. Lett. 72, 61 (1998)
  • V.M. Kozhevin, D.A. Yavsin, V.M. Kouznetsov, V.M. Busov, V.M. Mikushkin, S.Yu. Nikonov, A.V. Kolobov, S.A. Gurevich. JVST B 18, 1402 (2000)
  • M.E. Levinshtein, A.A. Balandin, S.L. Rumyantsev, M.S. Shur. In: Noise and Fluctuations Control in Electronic Devices / Ed. A. Balandin. American Scientific Publishers (2002)
  • J.V. Mantese, W.W. Webb. Phys. Rev. Lett. 55, 2212 (1985)
  • В.И. Козуб, В.М. Кожевин, Д.А. Явсин, С.А. Гуревич. Письма в ЖЭТФ 81, 287 (2005)
  • Г.П. Жигальский. УФН 173, 466 (2003)
  • М.Е. Левинштейн, С.Л. Румянцев. ФТП 24, 1807 (1990)
  • P. Dutta, P.M. Horn. Rev. Mod. Phys. 53, 497 (1981)
  • D.M. Fleetwood, J.T. Masden, N. Giordano. Phys. Rev. Lett. 50, 450 (1983)
  • D.M. Fleetwood, N. Giordano. Phys. Rev. B 27, 667 (1983)
  • D.M. Fleetwood, N. Giordano. Phys. Rev. B 31, 1157 (1985)
  • I. Ov stadal. Int. J. Electronics 73, 923 (1992)
  • Yu.M. Galperin, V.G. Karpov, V.I. Kozub. Adv. Phys. 38, 669 (1989)
  • H. Scotfield, J.V. Mantese, W.W. Webb. Phys. Rev. B 32, 736 (1985)
  • Sh. Hogan. Electronics noise and fluctuations in solids. Cambridge Univ. Press (1996). 353 p
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.