Издателям
Вышедшие номера
Релаксация низкотемпературной отрицательной фотопроводимости в p-GaAs/Al0.5Ga0.5As : Be и глубокие ловушки вблизи гетерограницы
Минина Н.Я.1, Богданов Е.В.1, Ильевский А.А.1, Краак В.2
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2Институт физики, Университет им. Гумбольдта, Берлин, Германия
Email: min@mig.phys.msu.ru
Поступила в редакцию: 22 марта 2006 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2006 г.

В гетероструктурах p-GaAs/Al0.5Ga0.5As : Be исследована релаксация к темновому состоянию отрицательной фотопроводимости, возникающей при гелиевых температурах при облучении красным светом. Релаксационный процесс исследован при различных температурах в области существования отрицательной фотопроводимости (T<6 K) и одноосном сжатии до 1.7 kbar. Процессы релаксации количественно хорошо описываются в рамках модели, предполагающей наличие вблизи гетерограницы глубоких донороподобных ловушек с низкой величиной термоактивационного барьера EB=2± 0.3 meV. Работа выполнена при поддержке грантов РФФИ N 04-02-16861 и НШ N 1786.2003.2. PACS: 73.20.Hb, 73.40.Kp
  • M.J. Chou, D.C. Tsui, G. Weinmann. Appl. Phys. Lett. 47, 609 (1985)
  • Н.Я. Минина, А.А. Ильевский, В. Краак. Письма в ЖЭТФ 82, 729 (2005)
  • I.V. Berman, E.V. Bogdanov, A.A. Ilievsky, N.Ya. Minina, W. Kraak. Phys. Stat. Sol. (b) 241, 3410 (2004)
  • Н.Б. Брандт, В.С. Егоров, М.Ю. Лавренюк, Н.Я. Минина, А.М. Савин. ЖЭТФ 89, 2257 (1985)
  • V. Mosser, S. Conteras, J.L. Robert. Phys. Rev. Lett. 66, 1737 (1991)
  • P.M. Mooney. J. Appl. Phys. 67, R 1 (1990)
  • T. Ando. J. Phys. Soc. Jap. 54, 1528 (1985)
  • K.I. Kolokolov, A.M. Savin, S.D. Beneslavski, N.Ya. Minina, O.P. Hansen. Phys. Rev. B 59, 7537 (1999)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.