"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Применение высокочистых слоев AlxGa1-xAs в эпитаксиальных структурах для мощных полевых СВЧ транзисторов
Журавлев К.С.1, Торопов А.И.1, Шамирзаев Т.С.1, Бакаров А.К.1, Раков Ю.Н.1, Мякишев Ю.Б.1
1Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск НПП ОКТАВА, Новосибирск
Поступила в редакцию: 25 марта 1999 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1999 г.

Cообщается о получении методом молекулярно-лучевой эпитаксии высокочистых слоев твердых растворов AlxGa1-xAs в диапазоне составов 0=< x=< 0.38. В спектрах низкотемпературной фотолюминесценции полученных слоев доминирует линия рекомбинации свободных экситонов (X). Малая ширина линии X, большая величина отношения интенсивности этой линии к интенсивности линии переходов зона--акцептор, а также линейная зависимость интенсивности линии X от плотности мощности возбуждения в диапазоне 1· 10-4-100 V·cm-2 свидетельствуют о низкой концентрации фоновых примесей в данных слоях. Использование полученного материала в псевдоморфных AlGaAs/InGaAs/GaAs гетероструктурах для мощных СВЧ транзисторов позволило получить транзисторы с удельной насыщенной выходной мощностью 0.9 W/mm на частоте 18 GHz.
  • Сергеева О. // Электроника. 1997 N 2. C. 39
  • Шур М. Современные приборы на основе арсенида галлия. М.: Мир, 1991. 632 с
  • Новости СВЧ техники. 1995. N 10. C. 7
  • Пашковский А.Б. // Электронная техника. Сер. Электроника СВЧ. 1986. В. 4. С. 14
  • Cooper S., Anderson K., Salzman K., Culbertson R., Mason J., Bryant D., Saunier P. // GaAs IC Symposium. 1992. P. 183
  • Greenberg D.R., del Alamo J.A., Harbison J.P., Florez L.T. // IEEE Electron Device Letters. 1991. V. 12. P. 436
  • Reynolds D.C., Bajaj K.K., Litton C.W., Yu P.W., Klem J., Peng C.K., Morkoc H., Singh J. // Appl. Phys. Lett. 1986. V. 48. P. 727
  • Pavesi L., Guzzi M. // J. Appl. Phys. 1994. V. 75. P. 4779
  • Lee S.M., Bajaj K.K. // J. Appl. Phys. 1993. V. 73. P. 1788
  • Matsunaga K. et al. // IEEE Microwave and Guided Wave Letters. 1995. V. 5. P. 402
  • Elman B.S., Koteles E.S., Zemon S.A., Chi Y.J. // J. Vac. Sci. Technol. 1987. V. 5. P. 757
  • Aoki K., Okuyama Y., Kobayashi T., Yamamoto K. // J. Phys. C. 1979. V. 12. P. 647
  • Chand N., Chu S.N.G., Jordan A.S., Geva M. // J. Vacuum Sci. Technol. B. 1992. V. 10. P. 807
  • Chand N., Chu S.N.G., Geva M. // Appl. Phys. Lett. 1991. V. 59. P. 2874
  • Zhang D.H., Li C.Y., Yoon S.F. // J. Cryst. Growth. 1997. V. 181. P. 1
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.