"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Исследование профилей имплантированных атомов Ti по глубине нанокристаллической керамики на основе нитрида бора при высоких дозах и потоках облучения и последующем отжиге
Дуванов С.М.1, Батурин В.А.1
1Институт прикладной физики НАН Украины, Сумы
Поступила в редакцию: 11 февраля 1999 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1999 г.

Представлены результаты исследования профилей распределения внедренных атомов Ti при высоких дозах имплантации (флюенс около 1017 cm-2) по глубине нанокристаллической керамики на основе нитрида бора (BN). Наблюдается смещение максимумов концентрации примеси внедрения в глубь подложки при послеимплантационном отжиге в вакууме при температуре 950o C. Такое поведение примеси внедрения в BN прямо противоположно результату, полученному ранее при исследовании образцов керамики на основе поликристаллического оксида алюминия, подвергнутых аналогичной ионно-термической обработке. Оценен эффективный коэффициент диффузии атомов титана в BN при термическом отжиге. Соотношение концентраций Ti/O в слое, модифицированном в результате имплантации и последующего отжига при 950oC, близко к стехиометрическому TiO2. Наблюдалось одновременное увеличение концентрации атомов углерода и азота в приповерхностных слоях образцов BN в результате отжига при температурах 830 и 950oC.
  • Duvanov S.M., Kabyshev A.V., Kobzev A.P. // Materials Science Forum. 1997. V. 248--249. P. 271--277
  • Yu K.M., Cohen M.L., Haller E.E., Hansen V.L., Liu A.I., Wu I.C. // Phys. Rev. B. 1994. V. 49. P. 5034
  • Бужинский О.И., Бутенко В.А., Лопатин В.В. // ПТЭ. 1981. В 3. С. 236
  • Duvanov S.M., Kobzev A.P., Tolopa A.M., Shirokov D.M. // Nucl. Instrum. and Meth. 1994. B 85. P. 264--267
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.