Взаимодействие водорода со структурой металл--оксид--полупроводник, содержащей дополнительный слой твердого электролита
Филиппов В.1, Васильев А.1, Терентьев А.1, Моритц В.1
1РНЦ "Курчатовский институт", Москва Университет им. Гумбольдта, Берлин, ФРГ
Поступила в редакцию: 23 апреля 1999 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1999 г.
Исследовано влияние водорода на напряжение плоских зон структуры Pt/LaF3/SiO2/SiC, являющейся чувствительным элементом высокотемпературного сенсора фторохлороуглеродов. Показано, что при температуре 441 K и концентрации водорода в воздухе на уровне 10-2% происходит смешение вольт-фарадной характеристики структуры в сторону отрицательных напряжений на величину около 160 mV. Повышение температуры приводит к уменьшению этой величины, что, по-видимому, связано с каталитическим окислением водорода на платиновом электроде структуры. Чувствительность исследуемой структуры к водороду может оказать влияние на кинетику отклика сенсора при взаимодействии с содержащими водород фторохлороуглеродами.
- Lundstrom I., Shivaraman M.S., Svemson C.M. // J. Appl. Phys. 1975. V. 46. P. 3876--3881
- Arbab A., Spetz A., Lundstrom I. // Sensors and Actuators. 1993. B15--16. P. 19--23
- Moritz W., Krause S., Vasiliev A. et al. // Sensors and Actuators. 1995. B24--25. P. 194--196
- Moritz W., Filippov V., Vasiliev A. et al. // J. Fluorine Chem. 1999. V. 93. P. 61--67
- Moritz W., Filippov V., Bartolomaus L. et al. // Proceeding of 11 th European Conf. on Solid State Transducer. Warsaw, Poland, 21--24 September 1997. P. 111--114
- Грабчак В., Терентьев А., Филиппов В. и др. // Журнал аналитической химии. 1993. Т. 48. С. 450--455
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
