"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Генерационные характеристики лазеров с вертикальным резонатором на основе In0.2Ga0.8As квантовых ям
Гайслер В.А.1, Торопов А.И.1, Бакаров А.К.1, Калагин А.К.1, Мошегов Н.Т.1, Тэннэ Д.А.1, Качанова М.М.1, Копп О.Р.1, Ненашева Л.А.1, Медведев А.С.1
1Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск
Поступила в редакцию: 12 мая 1999 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1999 г.

Разработаны и изготовлены полупроводниковые лазеры с вертикальным резонатором с высокой внешней квантовой эффективностью и большой мощностью излучения. На лазерах с апертурой 500 mum в импульсном режиме получена мощность до 10 W при T=300 K и 20 W при T=250 K.
  • Huffaker D.L., Graham L.A., Deng H. et al. // IEEE Photonics Techn. Lett. 1996. V. 8. N 8. P. 974--976
  • Huffaker D.L., Deppe D.G. // Appl. Phys. Lett. 1997. V. 71. N 11. P. 1449--1451
  • Thibeault B.J., Bertilsson K., Hegblom E.R. et al. // IEEE Photonics Techn. Lett. 1997. V. 9. N 1. P. 11--13
  • Grabherr M., Miller M., Jager R., Ebeling K.J. // Electronics Lett. 1998. V. 34. N 12. P. 1227--1228
  • Morgan R.A., Kojima K., Asom M.T. et al. // Electronics Lett. 1993. V. 29. N 2. P. 206--207
  • Yang G.M., Lim D.H., Kim J.H. et al. // Jpn. J. Appl. Phys. 1998. V. 37. P. 1391--1393
  • Geels R.S., Corzine S.W., Coldren L.A. // IEEE J. Quant. Electr. 1991. V. 27. N 6. P. 1359--1367
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.