"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Конверсия F<-=_> F+-центров в кристаллах анион-дефектного корунда
Кортов В.С.1, Мильман И.И.1, Слесарев А.И.1
1Уральский государственный технический университет, Екатеринбург
Поступила в редакцию: 20 мая 1999 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1999 г.

Методом фотостимулированной электронной эмиссии исследованы процессы перераспределения зарядов, образующихся при фотоионизации F-центров в монокристаллах анион-дефектного корунда в присутствии внешнего электрического поля. Показано, что наблюдаемые особенности спектров возбуждения обусловлены конверсионными переходами между F- и F+-центрами, вероятность которых в поверхностном слое кристалла существенно выше, чем в объеме вследствие высокой плотности возбуждения и наличия электрического поля. Полученные результаты могут представлять интерес для изучения радиационно-стимулированных явлений в диэлектрических материалах.
  • Аксельрод М.С., Кортов В.С., Мильман И.И. // Изв. АН СССР. Сер. физ. 1988. Т. 52. N 6. С. 1363--1366
  • Evans B.D., Stapelbroek M. // Phys. Rev. B. 1978. V. 18. N 12. P. 7089--7098
  • Александров А.Б., Алукер Э.Д., Васильев И.А., Нечаев С.А., Чернов С.А. Введение в радиационную физикохимию поверхности щелочно-галоидных кристаллов. Рига: Зинатне, 1989. 224 с
  • Lee K.H., Crawford J.N.Jr. // Phys. Rev. B. 1979. V. 19. N 8. P. 3217--3221
  • Atabekyan R.R., Ezoyn R.K., Gevorkyan V.A., Vinetskii V.L. // Phys. Stat. Sol. (b). 1985. V. 129. P. 321--329
  • Hodgson E.R. // 12 International Conf. on Defects in Insulating Materials. Schloss Nordkirchen, 1992. V. 1. P. 332--341
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.