"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Глубокое диффузионное легирование макропористого кремния
Астрова Е.В.1, Воронков В.Б.1, Грехов И.В.1, Нащекин А.В.1, Ткаченко А.Г.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 16 июля 1999 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1999 г.

Исследована диффузия примесей бора и фосфора в макропористый кремний с регулярной структурой глубоких цилиндрических пор, при которой обеспечивается сквозное легирование стенок. Полученные слои толщиной ~ 150 mum были квазиоднородно легированы и имели плоский фронт диффузии, а их электрические параметры мало отличались от параметров легированного монокристалла. Продемонстрирована возможность применения глубокой диффузии фосфора для изготовления n-n+-структур.
  • Lehman V., Foll H. // J. Electrochem. Soc. 1990. V. 137. P. 653
  • Lehmann V. // J. Electrochem. Soc. 1993. V. 140. P. 2836
  • Lehmann V. // Thin Solid Films. 1995. V. 255. P. 1
  • Lehmann V., Gruning // Thin Solid Films. 1997. V.297. P. 13
  • Gruning U., Lehmann V., Ottow S., Bush K. // Appl. Phys. Lett. 1996. V. 68. P. 747
  • Gruning U., Lehmann V., Ottow S., Bush K. // Thin Solid Films. 1996. V. 276. P. 151
  • Birner A., Gruning U., Ottow S., Schneider S., Muller F., Lehmann V., Foll H., Gosele U. // Phys. Stat. Solidi A. 1998. V. 165 (1). P. 111
  • Aristov V.V., Starkov V.V., Shabel'nikov, Kusnetsov S.M., Ushakov A.P., Grigoriev V.V., Tseitlin V.M. Opt. Commun. 1999. V. 161. P. 203
  • Rossi A.M., Amato G., Boarino L., Novero C. E-MRS Spring Meeting. Book of Abstracts, 1999, Strasbourg, abstract I--I. 11
  • Lehmann V., Honlein W., Reisinger H., Spitzer A., Wendt H., Willer Y. // Thin Solid Films. 1997. V. 297. P. 321
  • Amato G., Boarino L., Brunetto N., Turnaturi M. // Thin Solid Films. 1997. V. 297. P. 321
  • Зи С.М. Физика полупроводниковых приборов. М., Энергия, 1973. 656 с
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.