Вышедшие номера
Влияние полей случайно расположенных заряженных центров на поляризацию люминесценции
Осипов Е.Б.1, Борисов В.Б.1, Сорокина Н.О.1, Осипова Н.А.1
1Череповецкий государственный университет, Череповец, Россия
Поступила в редакцию: 10 февраля 1999 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2000 г.

Рассматривается влияние случайно расположенных заряженных центров в кристалле на поляризацию люминесценции, связанную с ян-теллеровскими центрами в условиях однородной деформации.
  1. Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников. Наука, М. (1979). 416 с
  2. Г.Л. Бир, Г.Е. Пикус. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках. Наука, М. (1972). 584 с
  3. Н.С. Аверкиев, З.А. Адамия, Д.И. Аладашвили, Т.К. Аширов, А.А. Гуткин, Е.Б. Осипов, В.Е. Седов. ФТП 21, 3, 421 (1987)
  4. Н.С. Аверкиев, Т.К. Аширов, А.А. Гуткин, Е.Б. Осипов, В.Е. Седов, А.Ф. Цацульников. ФТП 25, 11, 1967 (1991)
  5. Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. Квантовая механика. Нерелятивистская теория. Наука, М. (1989). 767 с
  6. Н.С. Аверкиев, А.А. Гуткин, С.Ю. Ильинский. ФТТ 40, 12, 2161 (1998)
  7. A. Miller, E. Abrahams. Phys. Rev. 120, 745 (1960)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.