На основе многослойных гетероструктур Ge / Si с квантовыми точками Ge реализованы фотоприемные элементы для волоконно-оптических линий связи (диапазон длин волн 1.3-1.55 mum), способные встраиваться в комплекс фотонных компонентов на едином кремниевом чипе. Слоевая плотность квантовых точек составляет (0.3-1)·10¹² cm^-2, размеры точек в плоскости роста ~10 nm. Структуры выращивались с помощью молекулярно-лучевой эпитаксии. Достигнута наименьшая из известных в литературе для Ge / Si-фотоприемников величина темнового тока при комнатной температуре (2·10^-5 A / cm² при обратном смещении 1 V). В фотодиодах и фототранзисторах с засветкой со стороны плоскости p-n-переходов квантовая эффективность составила 3% на длине волны 1.3 mum. Показано, что максимальная величина квантовой эффективности реализуется в волноводных структурах с засветкой со стороны торца волноводов и достигает значений 21 и 16% на длинах волн 1.3 и 1.5 mum соответственно. Работа выполнена при поддержке грантов Президента РФ по поддержке молодых докторов наук (МД-28.2003.02) и INTAS (N 03-51-5051).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.