Издателям
Вышедшие номера
Свойства люминесценции эрбия в объемных кристаллах карбида кремния
Бабунц Р.А.1, Ветров В.А.1, Ильин И.В.1, Мохов Е.Н.1, Романов Н.Г.1, Храмцов В.А.1, Баранов П.Г.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: ivan.ilyin@pop.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 25 октября 1999 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2000 г.

Исследована инфракрасная люминесценция ионов Er3+ в объемных кристаллах карбида кремния 6H-SiC, в которые эрбий был введен в процессе выращивания. Наличие центров эрбия различной симметрии в кристаллах контролировалось методом ЭПР. Наблюдалась интенсивная люминесценция ионов эрбия, представляющая собой ряд линий в области 1.54 mum. Люминесценция могла возбуждаться светом с энергией квантов как больше, так и меньше ширины запрещенной зоны SiC. Обнаружены необычные температурные свойства этой люминесценции: интенсивность люминесценции резко возрастала при повышении температуры от 77 K, достигала максимума при ~240 K и падала до уровня, наблюдаемого при 77 K, в области ~400 K. Произведенная оценка величин энергии активации возгорания и тушения люминесценции Er3+ дала величины EA~130 и ~350 meV соответственно. Обсуждаются механизмы возгорания и тушения люминесценции ионов Er3+ в SiC. Работа была частично поддержана грантом по программе "Физика твердотельных наноструктур" N 99-3012 и NWO по гранту N 047.005.12.96.
  • В.Ф. Мастеров. ФТП 27, 1435 (1993) и ссылки в ней
  • J. Michel, J.L. Benton, R.F. Ferrante, D.C. Jacobson, D.J. Eaglesham, E.A. Fitzgerald, Y.-H. Xie, J.M. Poate, L.C. Kimerling. J. Appl. Phys. 70, 2672 (1991)
  • A. Polman. J. Appl. Phys. 82, 1 (1997)
  • W. Jantsch, H. Przybylinska. 23rd International Conference on the Physics of Semiconductors. Berlin, July 21--26 (1996) / Ed. by M. Schefler, R. Zimmermann. World Scientific, Singapore--New Jersey--London--Hong--Kong. P. 3025
  • W.J. Choyke, R.P. Devaty, L.L. Clemen, M. Yoganathan, G. Pensl, Ch. Haessler. Appl. Phys. Lett. 65, 1668 (1994)
  • P.G. Baranov, I.V. Ilyin, E.N. Mokhov. Solid State Commun. 103, 291 (1997); П.Г. Баранов, И.В. Ильин, Е.Н. Мохов, В.А. Храмцов. ФТТ 41, 5, 865 (1999)
  • П.Г. Баранов, И.В. Ильин, Е.Н. Мохов, А.Б. Певцов, В.А. Храмцов. ФТТ 41, 1, 38 (1999)
  • Yu.A. Vodakov, E.N. Mokhov, M.G. Ramm, A.D. Roenkov. Krist. und Techn. 5, 729 (1979)
  • M. Kunzer, H.D. Mueller, U. Kaufmann. Phys. Rev. B48, 10 846 (1993)
  • W.I. Choyke, R.P. Devaty, M. Yoganathan, G. Pensl, J.A. Edmond. Shallow--Level Centers in Semiconductors. Amsterdam, 17--19 July (1996). P. 297 / Ed. by C.A.J. Ammerlaan, B. Pajot. World Scientific Publishing Company (1997)
  • G.D. Watkins. ФТТ 41, 5, 826 (1999) и ссылки в ней
  • Н.П. Ильин, В.Ф. Мастеров. ФТП 29, 1591 (1995); Н.П. Ильин, В.Ф. Мастеров. ФТП 31, 1037 (1997)
  • H. Przybylinska, W. Jantsh, Yu. Suprun-Belevitch, M. Stepikhova, L. Palmetschofer, G. Hendorfer, A. Kozanecki, R.J. Wilson, B.J. Sealy. Phys. Rev. B54, 2532 (1996-II)
  • L.S. Kimerling, K.D. Kolenbrander, J. Michel, J. Palm. Solid State Phys. 50, 333 (1996)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.