Издателям
Вышедшие номера
Диэлектрические и электромеханические свойства сегнетокерамики (1-x)PMN-xPZT
Бурханов А.И.1, Шильников А.В.1, Сопит А.В.1, Лучанинов А.Г.1
1Волгоградская государственная архитектурно-строительная академия, Волгоград, Россия
Поступила в редакцию: 21 октября 1999 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2000 г.

Определялись диэлектрические и электромеханические характеристики сегнетокерамики (1-x)PMN-xPZT в зависимости от температуры, амплитуды и частоты измерительного, а также напряженности смещающего полей. Показано, что данный материал в одном температурном интервале в диапазоне низких и инфранизких частот имеет ярко выраженные релаксорные, а в другом --- сегнетоэлектрические свойства. Установлены температурный и амплитудный интервалы, где varepsilon' или только уменьшается с увеличением амплитуды измерительного поля (E0), или сначала увеличивается, а затем уменьшается при увеличении E0. По температурным зависимостям коэрцитивного поля Ec(T), остаточной поляризации Pf(T), реверсивным зависимостям varepsilon* и электромеханических характеристик определена область температур, разделяющих фазы, подобные суперпараэлектрической фазе, фазе дипольного стекла и сегнетоэлектрической фазе. Установлена концентрация PZT, при которой в системе PMN-PZT имеет место максимальная величина коэффициента электрострикции M11. Показано, что в окрестности температур максимума varepsilon' выполняется квадратичная зависимость деформации (S3) по полю (E=): S3=M11E2. Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ (грант N 98-02-16146) и Конкурсного центра Минобразования (грант N 97-0-7.1-43).
  • L.E. Cross. Ferroelectrics 76, 241 (1987)
  • G.A. Rossetti, T. Nishimura, L.E. Cross. J. Appl. Phys. 70, 3, 1630 (1991)
  • Z.-G. Ye, H. Schmid. Ferroelectrics 145, 83 (1993)
  • W. Pan, F. Furmann, G.O. Daytan, L.E. Cross. J. Matter. Sci. Lett. 5, 647 (1986)
  • А.В. Шильников, А.И. Бурханов, Е.Х. Биркс. ФТТ 29, 3, 809 (1987)
  • A.V. Shil'nikov, A.I. Burkhanov, E.H. Birks, A. Sternberg. Ferroelectrics 81, 317 (1988)
  • D. Viehland, S.J. Jang, L.E. Cross, M. Wuttig. Phys. Rev. B46, 13, 8003 (1992)
  • M.D. Glinchuk, R. Farhi, V.A. Stephanovich. Ferroelectrics 199, 11 (1997)
  • В.А. Исупов. ФТТ 38, 5, 1326 (1996)
  • V.A. Isupov. Phys. Stat. Sol. (b) 213, 211 (1999)
  • A.E. Glazounov, A.K. Tagantsev, A.J. Bell. Phys. Rev. B53, 17, 11 281 (1996)
  • A.K. Tagantsev, A.E. Glazounov. Phys. Rev. B57, 1, 18 (1997)
  • A.K. Tagantsev, A.E. Glazounov. J. Korean Phys. Soc. 32, S951 (1998)
  • А.В. Шильников, Н.М. Галиярова, С.В. Горин, Д.Г. Васильев, Л.Х. Вологирова. Изв. АН СССР. Сер. физ. 55, 3, 578 (1991)
  • M. Yoshida, S. Mori, N. Yanamoto, Y. Uesu, J.M. Kiat. J. Korean Phys. Soc. 32, S993 (1998)
  • I. Heike, W. William. J. Appl. Phys. 76, 3, 1789 (1994)
  • Л.А. Кузнецова, Л.С. Камзина, Н.Н. Крайник. Сб. научных статей АН СССР. ФТИ, Л. (1981). С. 103
  • Е.Ю. Королева. Автореф. дисс. к. ф-м.н. ФТИ, СПб (1998). 20 с
  • С.Б. Вахрушев. Дисс. д. ф-м.н. ФТИ, СПб (1998). 86 с
  • Е.Г. Надолинская, Н.Н. Крайник, А.В. Шильников, Г.А. Смоленский, Л.Х. Вологирова. ФТТ 30, 149 (1988)
  • А.V. Shil'nikov, A.V. Sopit, A.I. Burkhanov, A. Luchaninov. J. European. Cer. Soc. 19, 1295 (1999)
  • AS TM-D 150--70. Методы определения диэлектрической проницаемости и диэлектрических потерь твердых электроизолированных материалов при переменном токе. Сб. стандартов США. М. (1979). С. 108
  • А.Г. Лучанинов, А.В. Владимцев, Б.Н. Черных, А.А. Шевченко, А.В. Шильников, Л.А. Шувалов. ПТЭ 1, 213 (1990)
  • Ю.М. Поплавко. Физика диэлектриков. Вища шк., Киев (1980). 398 с
  • А.В. Сопит, А.И. Бурханов, А.В. Шильников, А.Г. Лучанинов. Сб. тез. Mежд. конференции "Фазовые переходы и критические явления в конденсированных средах". Ин-т физики Дагестанского научного центра РАН, Махачкала (1999). С. 251
  • А.В. Шильников. Изв. РАН. Сер. физ. 51, 10, 1726 (1987)
  • A.V. Shil'nikov, V.N. Nesterov, A.I. Burkhanov. Ferroelectrics 175, 14 (1995)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.