Рассмотрено пространственное строение и свойства электронных уровней вакансии в полупроводнике с точечной T_d-симметрией решетки при произвольном соотношении между энергией ян-теллеровской стабилизации, связанной с F₂-модой колебаний, и t₂-a₁ расщеплением (Delta), обусловленным кубическим кристаллическим полем. Для основного состояния вакансии вычислены положение минимума адиабатического потенциала и искажение электронной плотности в зависимости от соотношения между Delta и константами взаимодействия с F₂-колебаниями. Продемонстрировано, что, если основным состоянием связанного на вакансии носителя является t₂-состояние, тригональная симметрия окружения вакансии сохраняется при любых величинах Delta, однако величина смещения атомов решетки вблизи вакансии и степень локализации волновой функции связанного носителя на выделенной эффектом Яна-Теллера оборванной связи могут сильно зависеть от Delta и максимальны при Delta-> 0. Аналогичная ситуация сохраняется и в случае, если основным состоянием вакансии является a₁-состояние, а абсолютная величина Delta не превышает определенной величины, задаваемой константами взаимодействия и коэффициентом упругости. Показано, что соотношение между Delta и константами взаимодействия влияет и на свойства тригональных комплексов вакансия-мелкий донор. Для таких комплексов вычислена зависимость направления диполя, описывающего оптические свойства дефекта, от возмущения вакансионных орбиталей донором в комплексе. Работа была поддержана Российским фондом фундаментальных исследований (грант N 98-02-18327).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.