Приводятся результаты исследований структур Si / Si_1-xGe_x : Er / Si, выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) в газовой фазе. Исследуемые структуры рассматриваются в качестве одного из вариантов структур для реализации лазера на Si / Er. Показано, что методом сублимационной МЛЭ в газовой фазе можно создавать эффективные светоизлучающие структуры, обнаруживающие интенсивный сигнал люминесценции на длине волны 1.54 mum. Для структур Si / Si_1-xGe_x : Er / Si с параметрами, близкими к рассчитанным для создания структур лазерного типа, проведены структурный и элементный анализ, исследованы спектральные и кинетические особенности фотолюминесценции при температурах 4.2 и 77 K. Показано, что в слоях Si_1-xGe_x : Er, выращенных этим методом, доля оптически активных ионов Er³⁺ достигает ~10% от полного содержания эрбиевой примеси. Согласно проведенным оценкам, значения коэффициентов оптического усиления в активных слоях Si_1-xGe_x : Er (x=0.1 и 0.02) составили ~0.03 и ~0.2 cm^-1. Значительное увеличение коэффициента усиления в структурах этого типа возможно за счет направленного формирования изолированных оптически активных центров иона Er³⁺ с характерной тонкой структурой спектра люминесценции. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (гранты N 02-02-16773, 04-02-17120) и INTAS (проекты N NANO-01-0444, 03-51-6486).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.