"Физика твердого тела"

Издателям

Статистика

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2018
- 1 2 3 4 5
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Микроструктура объемного GaN, выращенного на сапфировых подложках с аморфным буфером

Бельков В.В.¹, Жиляев Ю.В.¹, Мосина Г.Н.¹, Раевский С.Д.¹, Сорокин Л.М.¹, Щеглов М.П.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия

Email: zhilyaev@jyuv.ioffe.rssi.ru

Поступила в редакцию: 24 января 2000 г.

Выставление онлайн: 20 августа 2000 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Структура объемных слоев GaN, выращенных методом газофазной эпитаксии на сапфировых (0001) подложках, была изучена посредством рентгеновской дифрактометрии и трансмиссионной электронной микроскопии. Обнаружено, что эти слои содержат прорастающие и винтовые дислокации. По мере удаления от интерфейса плотность дислокаций уменьшается. Выяснено влияние аморфного буферного слоя на формирование начального слоя GaN и в конечном результате на совершенство слоев нитрида галлия. Предлагается модель формирования прорастающих дислокаций и механизм релаксации напряжений несоответствия. Работа выполнена при поддержке РФФИ (грант N 97-02-18088).

T. Sasaki, S. Zembutsu. J. Appl. Phys. 61, 2533 (1987)

T.W. Weeks, jr., M.D. Bremser, K.S. Ailey, E. Carlson, W.G. Perry, R.F. Davis. Appl. Phys. Lett. 67, 401 (1995)

X.J. Ning, F.R. Chien, P. Pirouz, Y.W. Yang, M. Asif Khan. J. Mater. Res. 11, 580 (1996)

R. Molnar, W. Goetz, L.T. Romano, N.M. Johnson. J. Cryst. Growth 178, 147 (1997)

P. Vermaut, P. Ruternana, G. Nouct, A. Salvador, A. Botchkarev, B. Sverdlov, H. Morkoc. Inst. Phys. Conf. Ser. 146, 289 (1995)

W. Qian, M. Skowronski, M. De Graef, K. Doverspike, L.B. Rowland, D.K. Gaskill. Appl. Phys. Lett. 66, 1252 (1995)

F.A. Ponce. MRS Bulletin 23, 2, 51 (1997)

G. Jacob, M. Boulon, M. Futado. J. Cryst. Growth 42, 136 (1977)

T. Detchprohm, K. Hiramatsu, H. Amano, I. Akasaki. Appl. Phys. Lett. 61, 2688 (1992)

Y.V. Melnik, I.P. Nikitina, A.S. Zubrilov, A.A. Sitnikova, Y.G. Musikhin, V.A. Dmitriev. Inst. Phys. Conf. Ser. 142, 863 (1996)

L.T. Romano, B.S. Krusor, R.J. Molnar. Appl. Phys. Lett. 71, 2283 (1997)

V.V. Bel'kov, V.M. Botnaryuk, L.M. Fedorov, I.I. Diakonu, V.V. Krivolapchuk, M.P. Schrglov, Yu.V. Zhilyaev. In: Proc. MRS Fall Meeting. Boston, USA (1996). V. 449. P. 343

P.B. Hirsch, A. Howie, R.B. Nicholson, D.W. Pashley, M.J. Whelan. Electron Microscopy of Thin Crystal. Butterworths, London (1965). 599 p

J.W. Matthews. In: Epitaxial Growth. Part B. / Ed. by J.W. Matthews. Academic Press, N.Y. (1975). P. 560

J.P. Hirth, J.L. Dothe. Theory of Dislocations. John Weley \& Sons, N.Y. (1970). 574 p

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель