Издателям
Вышедшие номера
Микроструктура объемного GaN, выращенного на сапфировых подложках с аморфным буфером
Бельков В.В.1, Жиляев Ю.В.1, Мосина Г.Н.1, Раевский С.Д.1, Сорокин Л.М.1, Щеглов М.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: zhilyaev@jyuv.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 24 января 2000 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2000 г.

Структура объемных слоев GaN, выращенных методом газофазной эпитаксии на сапфировых (0001) подложках, была изучена посредством рентгеновской дифрактометрии и трансмиссионной электронной микроскопии. Обнаружено, что эти слои содержат прорастающие и винтовые дислокации. По мере удаления от интерфейса плотность дислокаций уменьшается. Выяснено влияние аморфного буферного слоя на формирование начального слоя GaN и в конечном результате на совершенство слоев нитрида галлия. Предлагается модель формирования прорастающих дислокаций и механизм релаксации напряжений несоответствия. Работа выполнена при поддержке РФФИ (грант N 97-02-18088).
  • T. Sasaki, S. Zembutsu. J. Appl. Phys. 61, 2533 (1987)
  • T.W. Weeks, jr., M.D. Bremser, K.S. Ailey, E. Carlson, W.G. Perry, R.F. Davis. Appl. Phys. Lett. 67, 401 (1995)
  • X.J. Ning, F.R. Chien, P. Pirouz, Y.W. Yang, M. Asif Khan. J. Mater. Res. 11, 580 (1996)
  • R. Molnar, W. Goetz, L.T. Romano, N.M. Johnson. J. Cryst. Growth 178, 147 (1997)
  • P. Vermaut, P. Ruternana, G. Nouct, A. Salvador, A. Botchkarev, B. Sverdlov, H. Morkoc. Inst. Phys. Conf. Ser. 146, 289 (1995)
  • W. Qian, M. Skowronski, M. De Graef, K. Doverspike, L.B. Rowland, D.K. Gaskill. Appl. Phys. Lett. 66, 1252 (1995)
  • F.A. Ponce. MRS Bulletin 23, 2, 51 (1997)
  • G. Jacob, M. Boulon, M. Futado. J. Cryst. Growth 42, 136 (1977)
  • T. Detchprohm, K. Hiramatsu, H. Amano, I. Akasaki. Appl. Phys. Lett. 61, 2688 (1992)
  • Y.V. Melnik, I.P. Nikitina, A.S. Zubrilov, A.A. Sitnikova, Y.G. Musikhin, V.A. Dmitriev. Inst. Phys. Conf. Ser. 142, 863 (1996)
  • L.T. Romano, B.S. Krusor, R.J. Molnar. Appl. Phys. Lett. 71, 2283 (1997)
  • V.V. Bel'kov, V.M. Botnaryuk, L.M. Fedorov, I.I. Diakonu, V.V. Krivolapchuk, M.P. Schrglov, Yu.V. Zhilyaev. In: Proc. MRS Fall Meeting. Boston, USA (1996). V. 449. P. 343
  • P.B. Hirsch, A. Howie, R.B. Nicholson, D.W. Pashley, M.J. Whelan. Electron Microscopy of Thin Crystal. Butterworths, London (1965). 599 p
  • J.W. Matthews. In: Epitaxial Growth. Part B. / Ed. by J.W. Matthews. Academic Press, N.Y. (1975). P. 560
  • J.P. Hirth, J.L. Dothe. Theory of Dislocations. John Weley \& Sons, N.Y. (1970). 574 p
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.