Вышедшие номера
Светоизлучающие структуры Si : Er, полученные методом молекулярно-лучевой эпитаксии: влияние имплантации и отжига на люминесцентные свойства
Соболев Н.А.1, Денисов Д.В.1, Емельянов А.М.1, Шек Е.И.1, Паршин Е.О.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт микроэлектроники и автоматики Российской академии наук, Ярославль, Россия
Email: nick@sobolev.ioffe.rssi.ru
Выставление онлайн: 20 декабря 2004 г.

Исследованы некоторые особенности, возникающие в спектрах фото- и электролюминесценции светоизлучающих структур на основе выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) слоев Si : Er. Для сравнения исследовались люминесцентные свойства слоев Si, имплантированных ионами Er и O. Температурное гашение интенсивности фотолюминесценции Er-содержащих центров в МЛЭ- и имплантационных слоях хорошо описывается одинаковыми функциональными зависимостями с равными значениями энергий активации, но с различающимися более чем на два порядка коэффициентами перед экспоненциальными членами. Показано, что интенсивность электролюминесценции ионов Er3+ может быть увеличена путем дополнительной имплантации ионов эрбия и кислорода в МЛЭ-светоизлучающие диодные структуры и последующего отжига. При этом Er-содержащие центры продолжают оставаться доминирующими в спектре люминесценции. Работа частично поддержана INTAS (грант N 2001-0194), Российским фондом фундаментальных исследований (гранты N 02-02-16374 и 04-02-16935) и Отделением физических наук РАН в рамках Научной программы "Новые материалы и структуры".
  1. Н.А. Соболев, Д.В. Денисов, А.М. Емельянов, Е.И. Шек, Б.Я. Бер, А.П. Коварский, В.И. Сахаров, И.Т. Серенков, В.М. Устинов, Г.Э. Цырлин, Т.В. Котерева. ФТТ 47, 1 33k (2005).
  2. Н.А. Соболев. ФТП 29, 1153 (1995)
  3. F. Priolo, S. Coffa, G. Franzo, C. Spinella, A. Carnera, B. Bellany. J. Appl. Phys. 74, 8, 4936 (1993)
  4. В.Г. Шенгуров, С.П. Светлов, В.Ю. Чалков, Е.А. Ускова, З.Ф. Красильник, Б.А. Андреев, М.В. Степихова. Изв. РАН. Сер. физ. 64, 353 (2000)
  5. J. Palm, F. Gan, B. Zheng, J. Michel, L.C. Kimerling. Phys. Rev. B 54, 24, 17 603 (1996)
  6. H. Efeoglu, J.H. Evans, T.E. Jackman, B. Hamilton, D.C. Houghton, J.M. Langer, A.R. Peaker, D. Perovic, I. Poole, N. Ravel, P. Hemment, C.W. Chen. Sci. Technol. 8, 236 (1993)
  7. N.A. Sobolev, A.M. Emel'yanov, R.N. Kyutt, Yu.A. Nikolaev. Solid State Phenomena 69-- 70, 371 (1999)
  8. N.A. Sobolev, A.M. Emel'yanov, Yu.A. Kudryavtsev, R.N. Kyutt, M.I. Makovijchuk, Yu.A. Nikolaev, E.O. Parshin, V.I. Sakharov, I.T. Serenkov, E.I. Shek, K.F. Shtel'makh. Solid State Phenomena 57-- 58, 213 (1997)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.