"Журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Об аномальном условии реализации оптической бистабильности на основе температурной зависимости коэффициента поглощения полупроводника
Лысак Т.М.1, Трофимов В.А.1
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 1 декабря 1999 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2000 г.

Показана принципиальная возможность трехкратного увеличения температуры термостата, при которой реализуется абсорбционная оптическая бистабильность по сравнению с величиной, традиционно записываемой в работах, посвященных исследованию оптической бистабильности. Данный результат достигается в полупроводниках в случае оже-рекомбинации свободных электронов.
  • Гиббс Х. Оптическая бистабильность. Управление светом с помощью света. М.: Мир, 1988. 518 с
  • Transverse Pattens in Nonlinear Optics / Ed. N.N. Rozanov. Proc. SPIE. 1992. Vol. 1840
  • Оптические вычисления / Под ред. Р. Арратуна. М.: Мир, 1993. 441 с
  • Розанов Н.Н. Оптическая бистабильность и гистерезис в распределенных нелинейных системах. М.: Наука, 1997. 334 c
  • Смит Р. Полупроводники. М.: Мир, 1982. 558 с
  • Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников. М.: Наука, 1990. 685 с
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.