Методом ферромагнитного резонанса исследуется влияниие шероховатости поверхности подложек GaAs (001) на магнитные свойства пленок Fe толщиной t~ 12... 140 Angstrem, полученных молекулярно-лучевой эпитаксией при комнатной температуре и скоростях осаждения 9 и 3 Angstrem/min. Для пленок, выращенных на подложках с величиной среднеквадратичного отклонения амплитуды шероховатости sigma~ 10 и 30 Angstrem, обнаружено, что вид спектра существенно определяется соотношением толщины пленки t и величины sigma. При толщинах t=<sigma и t<= 3sigma в спектре наблюдается одиночная линия поглощения, тогда как при sigma=< t=< 3sigma --- две линии поглощения. Отмеченные особенности спектров связываются с островковым характером роста пленки и влиянием шероховатости на процесс сращивания островков.
Prosen R.J., Gran B.E., Kivel J. // J. Appl. Phys. 1963. Vol. 34. N 4. P. 1147--1148
Li M., Zhao Y.-P., Wang G.-C., Min H.-G. // J. Appl. Phys. 1998. Vol. 83. N 11. P. 6287--6289
He Y.-L., Wang G.-C. // J. Appl. Phys. 1994. Vol. 76. N 10. P. 6446--6448
Meng X., Bian X., Muir W.B. et al. // J. Appl. Phys. 1994. Vol. 76. N 10. P. 7084--7086
Cochran J.F., Muir W.B., Rudd J.M. et al. // J. Appl. Phys. 1991. Vol. 69. N 8. P. 5206--5208
Han D.-H., Zhu J.-G., Judy J.H., Sivertsen J.M. // J. Appl. Phys. 1997. Vol. 81. N 1. P. 340--343
Chang C.-H., Kryder M.H. // J. Appl. Phys. 1994. Vol. 75. N 10. P. 6864--6866
Takeshita H., Hittori K., Fujiwara Y. et al. // Ibid. P. 6415--6417
Bruno P., Bayreuther G., Beauvillain P. et al. // J. Appl. Phys. 1990. Vol. 68. N 11. P. 5759--5766
Chappert C., Bruno P. // J. Appl. Phys. 1988. Vol. 64. N 10. P. 5736--5741
Folkerts W., Hakkens F. // J. Appl. Phys. 1993. Vol. 73. N 10. P. 3922--3925
Freeland J.W., Chakarian V., Bussmann K. et al. // J. Appl. Phys. 1998. Vol. 83. N 11. P. 6290--6292
Mac Kay J.F., Teichert C., Lagally M.G. // J. Appl. Phys. 1997. Vol. 81. N 8. P. 4353
Prinz G.A., Krebs J.J. // Appl. Phys. Lett. 1981. Vol. 39. N 5. P. 397--399
Rachford F.J., Prinz G.A., Krebs J.J., Hathaway K.B. // J. Appl. Phys. 1982. Vol. 53. N 11. P. 7966--7968
Krebs J.J., Rachford F.J., Lubitz P., Prinz G.A. // Ibid. P. 8058--8060
Prinz G.A., Rado G.T., Krebs J.J. // J. Appl. Phys. 1982. Vol. 53. N 3. P. 2087--2091
Krebs J.J., Jonken B.T., Prinz G.A. // J. Appl. Phys. 1987. Vol. 61. N 7. P. 2596--2599
Gu E., Bland J.A.C., Daboo C. et al. // J. Appl. Phys. 1994. Vol. 76. N 10. P. 6440--6442. Phys Rev. 1995. Vol. B51. N 6. P. 3596--3604
Daboo C., Hicken R.J., Gu E. et al. // Phys. Rev. 1995. Vol. B51. N 22. P. 15964--15973
Flippe A., Schuhl A. // J. Appl. Phys. 1997. Vol. 81. N 8. P. 4359--4361
Tustison R.W., Varitimos T., van Hook J., Schloemann E.F. // Appl. Phys. Lett. 1987. Vol. 51. N 4. P. 285--287
Oliver S.A., Vittoria C., Schloemann E. et al. // J. Appl. Phys. 1988. Vol. 63. N 8. P. 3802--3804
Jonker B.T., Kneedler E.M., Thibado P. et al. // J. Appl. Phys. 1997. Vol. 81. N 5. P. 4362
Florczak J.M., Dan Danlberg E. // Phys. Rev. 1991. Vol. B44. N 17. P. 9338--9347
Высоцкий С.Л., Гульбух С.С., Джумалиев А.С. и др. // Письма в ЖТФ. 1999. Т. 25. Вып. 3. С. 36--40
Endo Y., Okamoto S., Kitakami O., Shimada Y. // J. Appl. Phys. 1997. Vol. 81. N 1. P. 344--349
Яковлев Ю.М., Генделев С.Ш. Монокристаллы ферритов в радиоэлектронике. М.: Сов. радио, 1975. 360 с
Poon Chin Y., Bhushan B. // JAP. 1996. Vol. 79. N 8. P. 5799--5801
Гуревич А.Г., Мелков Г.А. Магнитные колебания и волны. М.: Физматлит, 1994. 464 с
Технология тонких пленок. М.: Сов. радио, 1977. Т. 2. С. 768
Filimonov Yu.A., Kazakov G.T., Vysotsky S.L. et al. // JMMM. 1994. Vol.131. P. 235--241
© 2017 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук