Динамическая проводимость, стимулированная кристаллизационной водой
Горелов Б.М.1, Конин К.П.1, Морозовская Д.В.1
1Институт химии поверхности АН Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 20 июля 1999 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2000 г.
В пероксиде и оксиде бария при допировании молекулами воды обнаружено скачкообразное увеличение динамической проводимости до ~ 10-3 Omega-1·cm-1, которое происходит при наличии двух молекул в неэквивалентных междоузлиях кристаллической решетки и их концентрации nt>=q 2.2· 1021 cm-3. При n>nt проводимость не зависит от числа молекул в решетке и характеризуется температурной зависимостью вида sigma(T)=C1exp (-E1/kT)+C2exp (-E2/kT). Поведение sigma(n,T) обусловлено захватом электронов, образующихся при диссоциации молекул H2O, на локальные уровни и двумя видами перескоков носителей между локализованными и делокализованными состояниями.
- Мотт Н., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. М.: Мир, 1974. 472 с
- Тишер Ф. Техника измерений на сверхвысоких частотах. М.: Физматгиз, 1963. 368 с
- Meals R.N., Lemis F.M. Silicones. New York: Reinhold Public Corporation, 1963. 256 p
- Вольнов И.И. Перекисные соединения щелочноземельных металлов. М.: Наука, 1978. 135 с
- Антонченко В.Я., Давыдов А.С., Ильин В.В. Основы физики воды. Киев: Наукова думка, 1991. 672 с
- Киселев В.Ф. Поверхностные явления в полупроводниках и диэлектриках. М.: Наука, 1970. 399 с
- Пак В.Н., Вентов Н.Г. // ЖТФ. 1986. Т. 87. Вып. 2. С. 491--493
- Меден А., Шо М. Физика и применение аморфных полупроводников. М.: Мир, 1991. 670 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук