Вышедшие номера
Визуализация области проецированного пробега ионов Ar при облучении GaAs
Бусов В.М.1, Венус Г.Б.1, Гусинский Г.М.1, Ильинская Н.Д.1, Найденов В.О.1, Пастернак А.А.1, Портной Е.Л.1, Трошков С.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 29 сентября 1999 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1999 г.

Приведены результаты экспериментального исследования с помощью растрового электронного микроскопа скола образца GaAs, облученного ионами Ar, ускоренными до энергии 2.1, 4.6 и 8.4 MeV. Визуализация области пробега ионов, полученная в эксперименте, использована для определения проецированного пробега ионов в полупроводнике.