Приводятся результаты исследования влияния ультразвукового (УЗ) воздействия на структуры типа металл--окисел--полупроводник (МОП-структуры), предварительно облученные gamma-квантами. Показано, что УЗ воздействие ведет к уменьшению радиационно-индуцированного заряда в диэлектрике исследуемых структур. Рассмотрен механизм УЗ стимулированной диффузии радиационных дефектов в поле упругих напряжений в слое диоксида кримния, приводящий к наблюдаемым эффектам.
Коршунов Ф.П., Богатырев Ю.В., Вавилов В.А. Воздействие радиации на интегральные микросхемы. Минск: Наука и техника, 1986. 254 с
Брайловский Е.Ю., Здебский А.П., Корчная В.Л. и др. // Письма в ЖТФ. 1987. Т. 13. В. 21. С. 1310--1313
Здебский А.П., Корчная В.Л., Тарчинская Т.В. и др. Письма в ЖТФ. 1986. Т. 12. В. 2. С. 76--81
Вавилов В.С., Горин М., Данилин Н.С., Кив А.Е., Нуров Ю.А., Шаховцев В.И. Радиационные методы в твердотельной электронике. М.: Радио и связь, 1990. 184 с
Зи С. Физика полупроводниковых приборов. Т. 1. М.: Мир, 1984. 456 с. (Пер. с англ. S.M. Sze. Physics of Semiconductors Devices. New York: John Wiley \& Sons, 1981)
Terman L.M. // Sol. Stat. Elektron. 1962. N 5. P. 803--831
Чистов Ю.В., Сыноров В.Ф. Физика МДП структур. Воронеж: Изд-во ВГУ, 1989. 224 с
Першенков В.С., Попов В.Д., Шальнов А.В. Поверхностные радиационные эффекты в ИМС. М.: Энергоатомиздат, 1998. 256 с
Агаханян Т.М., Аствацатурьян Е.Р., Скоробогатов П.К. Радиационные эффекты в интегральных микросхемах. М.: Энергоатомиздат, 1989. 256 с
Баранский П.И., Беляев А.Е., Коширенко С.М. и др. ФТТ. 1990. Т. 32. N 7. С. 2159--2161
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.