Вышедшие номера
Об образовании дефектов в двухслойном кристалле Al/Ni под действием бомбардирующих ионов с близкими к порогу распыления энергиями
Корнич Г.В.1,2,3, Бетц Г.1,2,3, Бажин А.И.1,2,3
1Запорожский технический госуниверситет, Украина
2Inst. f. Allgemeine Physik, Technische Universitat Wien, Wien, Austria
3Донецкий госуниверситет, Украина
Поступила в редакцию: 17 декабря 1999 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2000 г.

Выполнено молекулярно-динамическое моделирование атомных каскадов столкновений в кристалле Al/Ni, состоящем из монослоя Al на поверхности Ni (100), при нормальной бомбардировке ионами Ar и Xe с энергиями 25 и 50 eV. Показано, что атомы Al совершают гораздо больше перемещений в 1-м слое Al/Ni по сравнению с числом перемещений атомов в монокристалле Ni благодаря отличию числа вакансий в 1-м слое и постоянных решетки Al и Ni.