Исследована температурная зависимость радиационно-индуцированной проводимости в области 80-300 K в щелочно-галоидных кристаллах CsI, NaCl при возбуждении импульсным рентгеновским излучением. Показано, что увеличение проводимости с температурой удовлетворительно описывается термическим разделением электронов и дырок в генетических парах. Сделаны оценки концентрации, времени жизни электронов проводимости, пространственного распределения и вероятности термического разделения неравновесных носителей в генетических парах после термализации. Обсуждено возможное влияние двух дырок в генетической паре, возникающих при Оже-генерации, на увеличение скорости рекомбинации электронов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.