Вышедшие номера
Неравновесные акустические фононы в ZnTe при гелиевых температурах: влияние примесей и структурных дефектов на длины свободного пробега фононов
Багаев В.С.1, Галкина Т.И.1, Клоков А.Ю.1, Клевков Ю.В.1, Кривобок В.С.1, Мартовицкий В.П.1, Сентюрина Н.Н.1, Шарков А.И.1
1Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
Email: bagaev@lebedev.ru
Поступила в редакцию: 8 июля 2004 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2005 г.

С помощью рентгеновской дифрактометрии, люминесценции и методики тепловых импульсов исследован кристаллит ZnTe, отобранный из друзы крупнозернистого поликристаллического ZnTe, полученного методом химического синтеза паров компонентов при температуре ~650oC. Кристаллиты состоят из макрослоев 110 с одной системой двойников. Двойниковые плоскости 111 с расстояниями 50-100 mum между ними перпендикулярны слоям роста (110). Распространение акустических фононов исследовалось методом тепловых импульсов. Сравнение откликов на приход акустических фононов разных поляризаций для исследованного образца с откликами для высокочистого крупнозернистого ZnTe с хаотически расположенными двойниковыми системами (с расстоянием 5-10 mum между ними) и для бездвойникового монокристаллического ZnTe позволило сделать заключение о радикальном влиянии двойников на рассеяние акустических фононов. Определены длины свободного пробега LA-, FTA-, STA-фононов путем сравнения экспериментальных откликов с рассчитанными методом Монте-Карло. Работа поддержана грантами Российского фонда фундаментальных исследований N 02-02-17392, 03-02-16854, 04-02-17078, а также грантом поддержки ведущих научных школ 1923.2003.2 и программой президиума РАН "Низкоразмерные квантовые структуры".
  1. Q. Wu, X.-C. Zhang. Appl. Phys. Lett. 71, 1285 (1997); A. Leitenstorter, S. Hunshe, J. Shah, M.C. Nuss, W.H. Knox. Appl. Phys. Lett. 74, 1516 (1999); M. Schall, Uhd Jepsen. Appl. Phys. Lett. 77, 2801 (2000); Ajay Nahata, James T. Yardley, Tony F. Heinz. Appl. Phys. Lett. 81, 963 (2002)
  2. В.С. Багаев, Т.И. Галкина, А.И. Шарков, А.Ю. Клоков, В.П. Мартовицкий, В.В. Зайцев, Ю.В. Клевков. ФТТ 45, 11, 1941 (2003)
  3. Т.И. Галкина, А.Ю. Клоков, А.И. Шарков, Ю.В. Коростелин, В.В. Зайцев. ФТП 37, 5, 539 (2003)
  4. Ю.В. Клевков, В.П. Мартовицкий, С.А. Медведев. ФТП 37, 2, 129 (2003)
  5. Ю.Ю. Логинов, Пол Д. Браун, Кен Дьюроуз. Закономерности образования структурных дефектов в полупроводниках A2B6. Логос, М. (2003). 304 с
  6. W.S. Kuhn, A. Lusson, B. Quhen, C. Grattepain, H. Dumont, O. Gorochov, S. Bauer, K. Wolf, M. Morz, T. Reisinger, A. Rosenauer, H.P. Wagner, H. Stanzl, W. Gebhardt. Prog. Cryst. Growth Charact. 31, 119 (1995)
  7. H. Venghaus, P.J. Dean. Phys. Rev. B 21, 1596 (1980)
  8. В.С. Багаев, Х. Бельска-Левандовска, М.М. Бонч-Осмоловский, Т.И. Галкина, С. Левандовский, Г.Н. Михайлова, А.Г. Поярков, Г. Юнг. ЖЭТФ 77, 5( 11), 2117 (1979)
  9. А.И. Шарков, Т.И. Галкина, А.Ю. Клоков, Ю.В. Клевков. ФТТ 45, 1, 156 (2003)
  10. S. Tamura. Phys. Rev. B 30, 2, 849 (1984)
  11. Devinger Pal Singh. Ind. J. Phys. A 62, 205 (1988)
  12. S. Tamura. Phys. Rev. B 31, 4, 2574 (1985)
  13. S. Tamura, H.J. Maris. Phys. Rev. B 31, 4, 2595 (1985)
  14. A. Berke, A.P. Mayer, R.K. Wehner. Solid State Commun. 54, 5, 395 (1985)
  15. М.М. Бонч-Осмоловский, Т.И. Галкина, А.Ю. Клоков, А.И. Шарков, Д.В. Казаковцев. ФТТ 38, 4, 1051 (1996)
  16. A.I. Sharkov, T.I. Galkina, A.Yu. Klokov, R.A. Khmelnitskii, V.A. Dravin, A.A. Gippius, V.G. Ralchenko, A.V. Karabutov. Diamond \& Related Mater. 9, 1100 (2000)
  17. L.S. Mitchell, A.C. Anderson. J. Low Temp. Phys. 91, 5/6, 341 (1993)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.