"Журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Динамика домена в диоде Ганна в цепи с резистивной нагрузкой
Домрачев С.И.1, Кузнецов А.А.1
1Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
Email: KuznecovAA@info.sgu.ru
Поступила в редакцию: 13 октября 1999 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2001 г.

Методом компьютерного моделирования исследуются параметры импульсов тока доменного режима диода Ганна в зависимости от напряжения питания и величины нагрузки. Результаты сравниваются с аналитической теорией. Уточняются границы применимости аналитических выражений. В рамках принятой модели минимальная длительность импульса и время формирования домена получены при нулевой нагрузке и напряжении питания в 1.25 раз больше порогового значения.
  • Костылев С.А., Гончаров В.В., Соколовский И.И., Челядин А.В. Полупроводники с объемной отрицательной проводимостью в СВЧ полях: электронные процессы и функциональные возможности. Киев: Наукова думка, 1987. 144 с
  • Шур М. Современные приборы на основе арсенида галлия. М.: Мир, 1991. 632 с
  • Домрачев С.И., Алавердян С.А., Скороходов В.Н. // ЖТФ. 1999. Т. 69. Вып. 5. С. 74--77
  • Левинштеин М.Е., Пожела Ю.К., Шур М.С. Эффект Ганна. М.: Сов. радио, 1975. 288 с
  • Шур М.С. // ФТП. 1973. Т. 7. Вып. 6. С. 1178--1183
  • Левинштеин М.Е., Симин Г.С. // ФТП. 1979. Т. 13. Вып. 5. С. 903--911
  • Симин Г.С. // ФТП. 1974. Т. 8. Вып. 5. С. 1028--1029
  • H. Thim. // J. Appl. Phys. 1968. Vol. 39. N 8. P. 3897--3905
  • Наянов В.И., Потапов С.К., Сафонова М.А. // Электронная техника. Сер. 1. Электроника СВЧ. 1983. Вып. 5. С. 28--31
  • Тихонов А.Н., Самарский А.А. Уравнения математической физики. М.: Наука, 1972. 736 с
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.