"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Исследование методом розерфордовского обратного рассеяния распределения ионно-имплантированных атомов марганца в кремнии
Эгамбердиев Б.Э.1, Адылов М.Ю.1
1Ташкентский государственный технический университет имени Абу Райхана Беруни
Поступила в редакцию: 4 сентября 2000 г.
Выставление онлайн: 20 января 2001 г.

Приводятся результаты исследования профилей распределения имплантированных атомов марганца в кремнии в зависимости от дозы облучения и температуры отжига методом розерфордовского обратного рассеяния (РОР). Полученные результаты хорошо согласуются с аналогичными данными, полученными другим методом. Изучено влияние термического отжига на распределение Mn и других примесей, в частности кислорода. Отмечена возможность использования метода РОР для анализа как концентрационного распределения легирующих примесей, так и взаимодействия примесей.
  • Бахадырханов М.К., Эгамбердиев Б.Э., Абдугаббаров М.С., Хайдаров К. // Неорганические материалы. РАН. 1995. Т. 31. N 3. С. 301--303
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.