Предложен новый способ получения InGaAs нанодоменов на GaAs или (Al,Ga)As. В процессе газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на поверхности подложки осаждается слой толщиной выше критической для образования дислокаций. InGaAs покрывается тонким AlAs, и осуществляется отжиг при повышенной температуре. В результате "отталкивания" AlAs от пластически-релаксированных областей вблизи дислокаций и его высокой температурной стабильности испарению подвергаются только области, содержащие дефекты. Эффекты самоорганизации стимулируют образование упорядоченного массива когерентных нанодоменов, которые могут быть использованы для получения захороненных низкоразмерных наноструктур и (или) наногетероэпитаксии.
Bimberg D., Grundmann M., Ledentsov N.N. Quantum Dot Heterostructures. John Wiley \& Sons, Chichester, 1999. 328 p
Huffaker D.L., Park G., Zou Z., Shchekin O.B., Deppe D.G. // Appl. Phys. Lett. 1998. V. 73. P. 2564
Shernyakov Yu.M., Bedarev D.A., Kondrat'eva E.Yu., Kop'ev P.S., Kovsh A.R., Maleev N.A,, Maximov M.V., Ustinov V.M., Volovik B.V., Zhukov A.E., Alferov Zh.I., Ledentsov N.N., Bimberg D. // Electron. Lett. 1999. V. 35. P. 898
Liu G.T., Stintz A., Li H., Malloy K.J., Lester L.F. // Electorn. Lett. 1999. V. 35. P. 1163
Ustinov V.M., Maleev N.A., Zhukov A.E., Kovsh A.R., Egorov A.Yu., Lunev A.V., Volovik B.V., Krestnikov I.L., Musikhin Yu.G., Bert N.A., Kop'ev P.S., Alferov Zh.I. // Appl. Phys. Lett. 1999. V. 74. P. 2815
Ledentsov N.N., Maximov M.V., Bimberg D., Maka T., Sotomayor Torres C.M., Kochnev I.V., Krestnikov I.L., Lantratov V.M., Cherkashin N.A., Musikhin Yu.M., Alferov Zh.I. // Semiconductor Science and Technnology. 2000. V. 15. P. 604
Maximov M.V., Kochnev I.V., Shernyakov Yu.M., Zaitsev S.V., Gordeev N.Yu., Tsatsul'nikov A.F., Sakharov A.V., Krestnikov I.L., Kop'ev P.S., Alferov Zh.I., Ledentsov N.N., Bimberg D., Kosogov A.O., Werner P., Gosele U. // Jpn. J. Appl. Phys. 1997. V. 36. P. 4221
Turco F., Guillaume J.C., Massies J. // J. Cryst. Growth. 1988. V. 88. P. 282
Beanland R., Lourenco M.A., Homewood K.P. // Microscopy of Semiconductor Materials. Eds: A.G. Gullis, J.L. Hutchinson, Inst. Phys. Conf. Series 1997. V. 157. IoP. P. 145--148