Методом атомно-силовой микроскопии обнаружено изменение микрорельефа поверхности гетероэпитаксиальных пленок кремния на сапфире (КНС) после импульсного облучения рентгеновскими лучами с энергией E=< 140 keV.
Папков В.С., Цыбульников М.Б. Эпитаксиальные кремниевые слои на диэлектрических подложках и приборы на их основе. М.: Энергия, 1979. 88 с
Адонин А.С., Беспалов А.В., Китиченко Т.С. и др. // Микроэлектроника. 2000. Т. 29. N 4. С. 279--295
Оболенский С.В., Скупов В.Д. // Поверхность. 2000. N 5. С. 75--79
Клингер М.И., Лущик Ч.Б., Машовец Т.В. и др. // УФН. 1985. Т. 147. В. 3. С. 523--558
Павлов П.В., Семин Ю.А., Скупов В.Д. // ФТП. 1986. Т. 20. В. 3. С. 503--507
Винецкий В.Л., Холодарь Г.А. Радиационная физика полупроводников. Киев: Наук. думка, 1979. 336 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.