"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Получение эпитаксиальных слоев твердого раствора (GaAs)1-x(ZnSe)x из свинцового раствора-расплава
Саидов А.С.1, Раззаков А.Ш.1, Гаимназаров К.Г.1
1Физико-технический институт НПО "Физика--Солнце" АН РУз, Ташкент
Поступила в редакцию: 2 июля 2001 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2001 г.

Эпитаксиальные слои твердых растворов (GaAs)1-x(ZnSe)x были выращены из свинцового раствора-расплава, ограниченного горизонтально расположенными подложками GaAs. Изучены состав и однородность твердого раствора. Приведены некоторые электрофизические параметры.
  • Горюнова Н.А., Федорова Н.Н. // ФТТ. 1959. В. 1. С. 344
  • Шевченко Е.Г. и др. // Неорганические материалы. 1973. N 9. С. 35
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.