Микроволновое модуляционное отражение света полупроводников
Черников М.А.1, Рябушкин О.А.1
1НТО "ИРЭ-Полюс", Институт радиотехники и электроники РАН (Фрязинское отделение)
Email: roa228@ire216.msk.su
Поступила в редакцию: 4 июля 2001 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2001 г.
Экспериментально реализован новый бесконтактный метод оптической модуляционной спектроскопии полупроводниковых структур, основанный на явлении разогрева свободных носителей заряда в полупроводнике сверхвысокочастотным полем. В однородной пленке арсенида галлия разогретые носители воздействуют на экситонные и акцепторные состояния, что приводит к изменению спектра диэлектрической проницаемости арсенида галлия вблизи края фундаментального поглощения. Изменение регистрируется по влиянию сверхвысокочастотного поля с модулированной интенсивностью на отражение света арсенидом галлия, помещенного в это поле.
- Кардона М. Модуляционная спектроскопия. М: Мир, 1972. 416 с
- Nahory R.E., Shay J.L. // Phys. Rev. Lett. 1968. V. 21. N 23. P. 1569--1571
- Glembocki O.J., Shanabrook B.V. // Semiconductors and Semimetals. 1992. V. 36. P. 221--292
- Рябушкин О.А., Сабликов В.А. // Письма в ЖЭТФ. 1998. Т. 67. В. 3. С. 217--221
- Estrera J.P., Duncan W.M., Glosser R. // Phys. Rev. B. 1994. V. 49. N 11. P. 7281--7294
- Денис В.И., Пожела Ю.К. Горячие электроны. Вильнюс: Минтис, 1971. 289 с
- Gribnikov Z.S., Hess K., Kosinovsky G.A. // J. Appl. Phys. 1995. V. 77. N 6. P. 1337--1373
- Ryabushkin O.A., Lonskaya E.I. // Proc. of 10th Int. Conf. on "Modulated Semiconductor Structures", Linz, 2001
- Pikhtin A.N., Airaksinen V.-M., Lipsanen H. et al. // J. Appl. Phys. 1989. V. 65. N 6. P. 2556--2557
- Пихтин А.Н., Тодоров М.Т. // ФТП. 1994. Т. 28. В. 6. С. 1068--1075
- Tanguy C. // J. Appl. Phys. 1996. V. 80. N 8. P. 4626--4631
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук