Издателям
Вышедшие номера
Особенности сверхъяркой фотолюминесценции ионов Er3+ в псевдоаморфных тонких пленках GaN
Андреев А.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 25 апреля 2001 г.
Выставление онлайн: 20 января 2002 г.

В псевдоаморфных пленках GaN, допированных Er и кодопированных кислородом, обнаружена высокоинтенсивная фотолюминесценция ионов Er3+ на длине волны lambda=1510-1535 nm при облучении азотным лазером (lambda=327 nm). Поскольку на этой длине волны ионы Er3+ не имеют резонансного уровня поглощения, возбуждение ионов эрбия происходит только через передачу энергии межзонной и внутризонной рекомбинации. Принципиальной особенностью спектра ионов Er3+ является его уширение за счет значительного вклада "горячих" переходов со штарковских компонент мультиплета 4I13/2. При температуре жидкого азота этот вклад является доминирующим. При 77 K в области 1550--1570 nm наблюдалась неустойчивость спектра, проявляющаяся в виде оптического шума. Температурное гашение фотолюминесценции практически отсутствовало. Высокая интенсивность фотолюминесценции Er3+ была достигнута в результате подбора режима многоступенчатого (кумулятивного) отжига.
  • Y.H. Xie, E.A. Fitzgerald, Y.J. Mii. J. Appl. Phys. 70, 6, 3223 (1991)
  • S. Coffa, G. Franzo, F. Priolo. MRS Bulletin 25 (1998)
  • A. Reittinger, J. Stimmer, G. Abstreiter. Appl. Phys. Lett. 70, 18, 2431 (1997)
  • W.-X. Ni, K.B. Joelsson, C.-X. Du, I.A. Buyanova, Z. Pozina, W.M. Chen, G.V. Hausson, B. Monemar. Appl. Phys. Lett. 70, 25, 3388 (1997)
  • D.L. Adler, D.C. Jacobson, D.J. Eaglesham, M.A. Markus, J.L. Benton, J.M. Poate, P.H. Citrin. Appl. Phys. Lett. 61, 18, 2181 (1992)
  • A. Terrasi, G. Franzo, S. Coffa, F. Priolo, F.D. Acapito, S. Mobilio. Appl. Phys. Lett. 70, 13, 1712 (1997)
  • M.S. Bresler, O.B. Gusev, V.Kh. Kudoyarova, A.M. Kuznetsov, P.E. Pak, E.I. Terukov, I.N. Yassievich, B.P. Zakharchenya. Appl. Phys. Lett. 67, 24, 3599 (1995)
  • L. Kou, D.C. Hall, H. Wu. Appl. Phys. Lett. 72, 26, 411 (1998)
  • H. Ennen, J. Schneider, G. Pomrenke, A. Axmann. Appl. Phys. Lett. 43, 10, 943 (1983)
  • A. Polman. J. Appl. Phys. 82, 1, 1 (1997)
  • P.N. Favennec, H.L. Harldon, D. Moutonnet, M. Salvi, M. Gaunenau. Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 301, 181 (1993)
  • S. Nakamura, G. Fasol. The Blue Laser Diode (GaN based Light Emittors and Lasers). Spinger, Berlin Heidelberg (1997). P. 129
  • R.G. Wilson, R.N. Schwartz, C.R. Abernathy, S.J. Pearton, N. Newman, M. Rubin, T. Fu, J.M. Zavada. Appl. Phys. Lett. 65, 8, 992 (1994)
  • D.M. Hansen, R. Zhang, N.R. Perkins, S. Satvi, L. Zhang, K.L. Bray, T.F. Kuech. Appl. Phys. Lett. 72, 10, 1244 (1998)
  • А.А. Андреев, В.Б. Воронков, В.Г. Голубев, А.В. Медведев, А.Б. Певцов. ФТП 33, 1, 106 (1999)
  • S.B. Aldabergenova, M. Albrecht, A.A. Andreev, C. Inglefield, J. Viner, V.Yu. Davydov, P.C. Taylor, H.P. Strunk. J. Non-Cryst. Solid 283, 1--3, 173 (2001)
  • V.Yu. Davydov, Yu.E. Kitaev, J.N. Goncharuk, A.M. Tsaregorodtsev, A.N. Smirnov, A.O. Lebedev, V.M. Botnaruk, Yu.V. Zhilyaev, M.B. Smirnov, A.P. Mirgorodsky, O.K. Semchinova. J. Cryst. Growth. 189/190, 656 (1998)
  • Myo Thaik, U. Hommerich, R.N. Schwartz, R.G. Wilson, J.M. Zavada. Appl. Phys. Lett. 71, 18, 2641 (1997)
  • А.А. Андреев, В.Г. Голубев, В.Ф. Мастеров, А.В. Медведев, А.Б. Певцов, С.Б. Алдабергенова, П.К. Тейлор. Письма в ЖЭТФ 70, 12, 780 (1999)
  • А.А. Каминский. Лазерные кристаллы. Наука, М. (1975). С. 108
  • V.T. Gabrieljan, A.A. Kaminskii, L. Li. Phys. Stat. Sol. (a) 3, k37 (1970)
  • J.B. Gruber, J.R. Henderson, M. Muramoto, K. Rajnak, J.G. Conway. J. Chem. Phys. 45, 477 (1966)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.